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广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
1万伏！我国实现6英寸AlN单晶复合衬底和晶圆制造全流程突破
 评论 ⋅  2024-11-05 09:24
上海汉虹申请一种单晶炉碳化硅炉专用KF40电动蝶阀专利
 评论 ⋅  2024-11-04 11:50
镓仁半导体：铸造法成功生长超厚6英寸氧化镓单晶！
 评论 ⋅  2024-10-29 19:59
标准 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-29 16:31
镓仁半导体成功制备VB法(非铱坩埚)2英寸氧化镓单晶
 评论 ⋅  2024-10-27 22:32
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
总投资约5.46亿元 山西海纳半导体硅单晶生产基地项目投产
 评论 ⋅  2024-09-26 23:55
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
湖北溥源石英年产2万吨半导体单晶硅石英坩埚材料(一期)项目新进展
 评论 ⋅  2024-09-02 16:43
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
 评论 ⋅  2024-08-08 11:10
晶钻科技同质外延单晶金刚石新突破
 评论 ⋅  2024-08-06 11:26
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-08-02 16:54
中晶科技:已在国内分立器件用单晶硅棒、研磨硅片以及半导体功率芯片及器件领域占据领先的市场地位
 评论 ⋅  2024-08-02 11:43
宁波晶钻同质外延单晶金刚石再次突破3.35英寸
 评论 ⋅  2024-08-02 11:01
中晶科技：单晶硅片募投项目处于增产上量和新客户认证过程中
 评论 ⋅  2024-08-01 14:29
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-07-26 11:03
新突破︱镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
 评论 ⋅  2024-07-16 10:54
海纳半导体硅单晶生产基地项目全面竣工！
 评论 ⋅  2024-07-16 10:35
CASICON晶体大会前瞻|中晶芯源半导体杨祥龙：碳化硅单晶衬底材料的研究进展
 评论 ⋅  2024-06-13 15:12
CASICON晶体大会前瞻|西安交通大学王若铮：MPCVD法生长英寸级单晶金刚石的相关机理探讨
 评论 ⋅  2024-06-11 11:16
CASICON晶体大会前瞻|山东大学徐现刚：低缺陷碳化硅单晶进展及展望
 评论 ⋅  2024-06-06 15:36
西安交大刘明教授团队在柔性自支撑反铁电氧化物单晶薄膜研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-06-04 13:40
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波：AlN单晶衬底和外延薄膜的制备
 评论 ⋅  2024-05-30 10:10
科学家提出倾斜台阶面外延生长菱方氮化硼单晶方法
 评论 ⋅  2024-05-06 11:06
厚度达100 mm! 碳化硅单晶生长取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-29 07:34
6英寸氧化镓单晶实现产业化
 评论 ⋅  2024-03-21 16:32
云和县大尺寸碳化硅单晶衬底产业化项目意向合作协议签约仪式举行
 评论 ⋅  2024-03-20 15:27
CASA立项《碳化硅单晶生长用等静压石墨》标准
 评论 ⋅  2024-03-04 17:05
中晶科技：高端分立器件和超大规模集成电路用单晶硅片项目进展顺利，当前处于爬坡上量阶段
 评论 ⋅  2024-02-29 15:32
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