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半导体所等在砷化镓（GaAs）中产生自旋极化研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:42
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-07-22 11:27
中国科学院郑婉华院士团队半导体所有源光束扫描激光器研发取得进展
 评论 ⋅  2024-07-15 15:16
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-07-15 15:12
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2024-03-07 09:47
半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展
 评论 ⋅  2024-01-03 15:54
中国科学院半导体所伍绍腾：基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
 评论 ⋅  2023-12-29 15:28
中国科学院半导体所荣获北京市自然科学奖一等奖
中国科学院半导体所高性能钙钛矿半导体光电器件载流子2022年度北京市自然科学奖一等奖
 评论 ⋅  2023-12-28 14:19
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-08-31 16:53
CASICON西安前瞻| 中国科学院半导体所青年研究员梁锋：大功率GaN基蓝光激光器研究进展
 评论 ⋅  2023-07-23 19:21
中科院半导体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
 评论 ⋅  2023-06-26 11:53
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-06-25 11:17
半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-04-26 10:30
半导体所成功研制一款极低电压低抖动低功耗频率综合器芯片
 评论 ⋅  2023-03-14 09:23
半导体所在激子-声子的量子干涉研究中获进展
 评论 ⋅  2023-03-07 09:54
中国科学院半导体所“深紫外激光光致发光光谱仪”入选中国科学院自主研制科学仪器名录
 评论 ⋅  2022-10-24 18:37
半导体所等研究团队合作在氮化物外延方法及新型器件研究中取得系列进展
 评论 ⋅  2022-10-14 17:45
半导体所高效稳定钙钛矿太阳能电池研究获进展
 评论 ⋅  2022-08-01 11:29
中科院半导体所在硅基锗锡中红外探测器方面取得进展
 评论 ⋅  2022-07-08 18:11
中科院半导体所在氮化物材料生长界面研究方面取得新进展
 评论 ⋅  2022-04-21 07:53
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的GaN基大功率紫外激光器
 评论 ⋅  2022-04-20 09:58
中科院半导体所荧光型LED的OOK调制速率突破1Gbps
 评论 ⋅  2021-12-24 20:48
聚灿光电与中科院半导体所开发高性能高光功率氮化物
 评论 ⋅  2021-12-24 18:41
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
祝贺中科院半导体所郑婉华、祝宁华两位研究员当选中国科学院院士
 评论 ⋅  2021-11-19 14:08
半导体所4项科研成果入选国家“十三五”科技创新成就展
 评论 ⋅  2021-10-29 19:48
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
 评论 ⋅  2021-08-03 15:24
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