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深圳大学刘新科:基于氮化镓单晶衬底的
半导体器件
上海电气:计划在8-10年内成为上海电气功率
半导体器件
集成封装/测试的公共平台,打造第三代半导体产品(SiC)
功率
半导体器件
企业时代电气上市
芯微电子二期项目开工 可年产3.5亿只功率
半导体器件
美迪凯拟投资10亿元建年产20亿颗(件、套)
半导体器件
项目
科普l 13种常用的功率
半导体器件
介绍
华微电子:公司正在积极布局以SiC和GaN为代表的第三代
半导体器件
技术
宽禁带半导体:一场能源转换链中的革命
碳化硅
氮化镓
宽禁带
第三代
半导体
物理
高压
高频
高功率
半导体器件
比亚迪半导体拟公开发行股票:年净利润仅0.32亿,
半导体器件
与国际领先水平有差距
天津赛米卡尔张紫辉:半导体仿真技术在第三代
半导体器件
中的应用
天津
赛米卡尔
创始人
河北工业大学
张紫辉
半导体
仿真技术
第三代半导体
器件
CASA秘书长于坤山:功率
半导体器件
技术发展现状与前景展望
IC Insights:2021年
半导体器件
出货量将突破1万亿,创历史新高|出货量
半导体器件
制作工艺流程及方法
当前感应加热设备的
半导体器件
的发展现状
格力公开“碳化硅肖特基
半导体器件
”和“一种
半导体器件
”专利
半导体器件
为什么需要“外延层”
厦门大学邱宇峰教授:碳化硅功率
半导体器件
在电力系统中的应用
2027年全球GaN
半导体器件
市场规模预计或将达408亿元
“芯基建”:半导体仿真技术在第三代
半导体器件
中的应用
郝跃院士:宽禁带与超宽禁带
半导体器件
新进展
郝跃
院士
宽禁带
超宽禁带
半导体
器件
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6
页/共
6
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