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中国首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功 通过太空验证
 评论 ⋅  2025-01-22 10:39
中国太空科技新突破！首款高压抗辐射碳化硅功率器件研制成功并验证
 评论 ⋅  2025-01-22 09:36
总投资10亿元，芯瓷科技半导体功率器件用DPC陶瓷基板项目投产
 评论 ⋅  2025-01-20 17:26
英飞凌泰国功率模块组装厂已动工
 评论 ⋅  2025-01-20 10:53
英飞凌泰国功率模块组装新厂动工，计划于2026年初投入运营
 评论 ⋅  2025-01-15 10:46
功率半导体龙头终于“解除封印” ！
 评论 ⋅  2025-01-09 11:45
世界首个采用6.5kV功率器件的柔性直流工程成功投运
 评论 ⋅  2025-01-06 19:07
南京邮电大学研究团队在用于低功率光通信的GaN/CuI异质结构紫外光伏探测器取得进展
 评论 ⋅  2025-01-02 12:06
功率半导体中低压产品价格调涨，大厂产能满载或将延续
 评论 ⋅  2025-01-02 08:35
昌龙智芯半导体功率器件项目投资超5亿元
 评论 ⋅  2024-12-31 15:59
行业Top级厂商齐聚功率器件展区！CSE 2025等您来探！
 评论 ⋅  2024-12-27 19:41
功率半导体器件研发商中微创芯完成近亿元Pre-B轮融资
 评论 ⋅  2024-12-27 14:39
北京大学团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-25 10:09
北大集成电路学院研究团队在GaN基功率电子器件研究上取得系列重要进展
 评论 ⋅  2024-12-23 17:17
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
日本政府为电装-富士电机联合的SiC功率半导体计划投资705亿日元
 评论 ⋅  2024-12-19 11:52
南京大学在宇航用抗辐照GaN功率器件方面取得新进展
 评论 ⋅  2024-12-18 20:06
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
嘉兴斯达拟投15亿元建设12英寸功率产线
 评论 ⋅  2024-12-12 13:49
嘉兴斯达拟投15亿元建设12英寸功率产线
 评论 ⋅  2024-12-11 16:30
瑞能北京 9.26亿元6英寸功率半导体扩建项目验收
 评论 ⋅  2024-12-10 16:49
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
Victor Veliadis教授：加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程
 评论 ⋅  2024-12-06 15:09
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