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应用
宁波材料所研发氧化镓基日盲紫外光电探测器的低温
制备
技术
宁波材料所在钙钛矿/晶硅叠层太阳电池的中间层设计和
制备
方面取得重要进展
河北工业大学张勇辉:化合物半导体光电及功率器件的仿真设计、数理模型与
制备
中镓半导体刘强:面向氮化镓同质外延功率/光电器件应用的氮化镓单晶衬底
制备
技术研发进展
中国科学院微电子所黄森:Si基GaN功率器件
制备
技术与集成
CASICON西安站前瞻|中国科学院微电子所黄森:Si基GaN功率器件
制备
技术与集成
重大进展!中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量
制备
技术
重要成果!中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量
制备
技术!
“一种低操作电压高一致性忆阻器及其
制备
方法”发明专利发布
【CASICON 2023】河北工业大学张紫辉教授:GaN功率电子器件的物理建模与
制备
研究
首届九峰山论坛召开 共议化合物半导体关键材料与
制备
工艺趋势
中国科大
制备
出高效稳定的钙钛矿单晶LED
打破国外垄断 武汉先进院有机硅材料
制备
技术取得突破
简述碳化硅衬底
制备
的重点与难点
科友半导体董事长赵丽丽:电阻炉八英寸碳化硅
制备
技术探索
西安邮电大学重点实验室成功
制备
高耐压性能半导体材料
山东大学教授陈秀芳:大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底
制备
国内第一!中国电科46所成功
制备
6英寸氧化镓单晶
中国首颗6英寸氧化镓单晶成功
制备
,第四代半导体呼啸而来
华南理工大学微纳电子加工平台
制备
设备采购项目(三)(子包4:MOCVD采购)二次(项目编号:0835-220Z11909521-2)恢复采购公告
简述影响 MPCVD 法
制备
金刚石质量的因素研究
简述氮化镓的合成
制备
及展望
快讯|奥趋光电成功
制备
出高质量3英寸氮化铝单晶
北京理工大学晶圆级量子探测材料
制备
设备采购公开招标公告
碳化硅单晶薄膜
制备
技术及集成光子应用技术进展
冯志红团队在(001)单晶金刚石上
制备
了具有同质外延层的金刚石FET
中国科大在高性能金刚石量子器件
制备
上取得重要进展
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底
制备
山东大学
晶体材料
4HSiC
衬底
8英寸
天岳先进:已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底
制备
技术
高导热金刚石/铜复合材料的
制备
与界面调控研究进展
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