首页 > 新闻资讯 > 搜索
英特尔将在日本新建芯片研发中心
 评论 ⋅  2024-10-23 17:35
采埃孚与Wolfspeed芯片项目或告吹 德国工业复苏再受打击
 评论 ⋅  2024-10-23 14:17
首期规模120亿元，武汉“江城基金”聚焦泛半导体产业
 评论 ⋅  2024-10-22 19:48
东风汽车已完成3款车规级芯片流片
 评论 ⋅  2024-10-22 18:02
Infinera获美国《芯片法案》9300万美元资助
 评论 ⋅  2024-10-22 09:42
多家企业将汇聚深圳，共商电机新趋势！
 评论 ⋅  2024-10-22 05:38
京东方“衬底基板、显示基板以及光探测基板”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:56
昂瑞微“一种芯片及其UserID检测电路”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-21 16:52
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
杭州镓仁半导体申请氧化镓单晶衬底抛光片划片方法专利，减少切割道周边晶片解理、崩裂和微裂纹等缺陷的产生
 评论 ⋅  2024-10-21 10:26
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
东风汽车已完成3款车规级芯片流片
 评论 ⋅  2024-10-21 09:58
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-10-20 18:47
国产芯片！红旗发布了首台1700V超高压碳化硅功率模块样品
 评论 ⋅  2024-10-18 16:54
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-18 16:18
三星解散LED业务，但仍继续研发Micro LED
 评论 ⋅  2024-10-18 11:14
和研科技设备入选辽宁省首台(套)目录
 评论 ⋅  2024-10-17 17:50
武汉新芯取得清洗装置及半导体制造设备专利，去除晶圆边缘残留物避免影响后续工艺
 评论 ⋅  2024-10-17 14:46
和其光电“用于光纤传感器封装的高精密多维调节对位系统及方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:44
长电科技“腔体式封装结构及封装方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-17 14:43
通富微电拟出资2亿元受让滁州广泰31.9%合伙份额
 评论 ⋅  2024-10-17 10:25
蔚来总裁秦力洪：半导体“万亿市场”观有些保守
 评论 ⋅  2024-10-17 09:27
方正微电子：2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力
 评论 ⋅  2024-10-16 14:58
捷捷微电前三季度净利润同比预增120%至150%
 评论 ⋅  2024-10-16 11:42
晶盛机电：产品优势体现在全产业链核心装备供应能力，半导体大硅片设备国际领先，公司高品质碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流
 评论 ⋅  2024-10-16 11:34
Wolfspeed获得7.5亿美元用于北卡罗来纳州工厂建设
 评论 ⋅  2024-10-16 10:05
新型OLED材料研发企业卢米蓝完成新一轮融资
 评论 ⋅  2024-10-16 08:44
信越化学宣布进军半导体制造设备
 评论 ⋅  2024-10-15 18:08
国产半导体专用光刻胶领域实现重大突破，已通过量产验证！
 评论 ⋅  2024-10-15 15:18
浪潮华光参与制定的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》正式发布
 评论 ⋅  2024-10-15 14:15
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部