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湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广东巨风半导体取得IGBT模块专利，提高模块性能
 评论 ⋅  2024-11-12 15:49
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
北方华创“工艺气体喷嘴及半导体工艺腔室”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-11 16:33
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
联华电子申请半导体结构以及其形成方法专利，具有特定的结构和元件排列
 评论 ⋅  2024-11-06 14:22
华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-04 17:50
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
中微半导体设备申请双腔处理系统及气体供应方法专利
 评论 ⋅  2024-11-04 14:10
上海汉虹申请一种单晶炉碳化硅炉专用KF40电动蝶阀专利
 评论 ⋅  2024-11-04 11:50
长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 10:10
士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 09:38
重庆芯联微电子申请掩膜版图形及其优化方法专利，解决集成电路版图工艺缺陷
 评论 ⋅  2024-10-31 17:17
粤芯半导体申请光刻机对准方法专利，平衡晶圆中切割道与芯片的研磨速率
 评论 ⋅  2024-10-31 17:11
长鑫存储申请半导体结构及制备方法专利，提高集成电路的存储密度
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
深圳市联微半导体取得定位装置专利，能够具有较低的成本
 评论 ⋅  2024-10-31 13:57
北方华创“工艺配方的管理控制方法、装置及半导体设备”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-30 10:34
智芯微“用于电源监测的嵌入式系统、解码方法和解码芯片”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-30 10:33
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
山东粤海金半导体取得专用碳化硅衬底Wafer倒角装置专利，可实现自由设计倒角形状
 评论 ⋅  2024-10-29 11:35
汉斯半导体取得一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置专利，抛光效率高
 评论 ⋅  2024-10-29 11:28
荣耀“封装芯片结构及其加工方法、和电子设备”专利获授权
 评论 ⋅  2024-10-29 11:02
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
苏州高视半导体申请基于晶圆检测系统的晶圆检测方法专利，降低晶圆缺陷的检测成本
 评论 ⋅  2024-10-28 17:43
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