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河北半导体研究所周幸叶：紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
 评论 ⋅  2020-12-08 16:06
湖北大学黎明锴：Hf掺杂SnO2实现高性能日盲紫外光探测器
 评论 ⋅  2020-12-08 16:00
中科院宁波材料技术与工程研究所郭炜：铝镓氮深紫外量子阱及LED，斜切角衬底及横向极性畴的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-08 15:58
中科院半导体研究所研究员闫建昌：氮化物深紫外LED研发方向，从二维材料到纳米结构
 评论 ⋅  2020-12-08 15:50
“抱团”争夺全球制造业战略高点 德法等欧盟十三国官宣建立半导体投资联盟
“抱团制造业战略高点德法等欧盟十三国半导体投资联盟
 评论 ⋅  2020-12-08 10:16
8英寸晶圆产能紧缺，半导体概念股大涨，它们业绩如何？
8英寸晶圆产能半导体概念股
 评论 ⋅  2020-12-08 10:12
立霸股份立足主业加速进军半导体领域 盐城国资累计10亿受让22.08%股权
立霸股份半导体盐城国资
 评论 ⋅  2020-12-08 10:07
研究报告：半导体深度研究报告之模拟芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:55
纸面富贵：英唐智控转型之殇 拥抱半导体芯片前路未知
纸面富贵英唐智控转型半导体芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:52
厦门大学蔡端俊:氯离子局域场驱动的快速除氢p型增强技术及深紫外LED效率提升
 评论 ⋅  2020-12-07 16:41
南方科技大学孙小卫：量子点显示技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:28
国星光电章金惠：从Mini到Micro LED技术演变的思考、问题及进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:17
北京大学陈志忠:Micro-LED大注入条件下的多体效应研究
 评论 ⋅  2020-12-07 16:13
南京大学刘斌：具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备
 评论 ⋅  2020-12-07 16:01
华灿光电张奕博士：Mini/Micro-LED新型显示技术
 评论 ⋅  2020-12-07 15:55
“十四五”规划力挺科技创新 半导体发展进入快速通道
十四五规划科技创新半导体
 评论 ⋅  2020-12-07 14:55
国内企业纷纷瞄准第三代半导体，百亿元产业园项目正顺势起航
国内第三代半导体产业园项目
 评论 ⋅  2020-12-07 14:52
苏州量芯微半导体傅玥：氮化镓功率器件，应用起航
 评论 ⋅  2020-12-04 17:05
英诺赛科陈钰林：硅基氮化镓产业化进展与市场前景
 评论 ⋅  2020-12-04 16:42
深圳盛世新能源杨鸿铭：第三代半导体在车载电源系统的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:39
深圳市禾望电气张孟杰:SiC器件在新能源变换器中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:31
许继电气陈天锦：碳化硅器件在高性能充电系统中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:28
山大华天科技迟恩先：SiC器件在有源电力滤波器中的应用
 评论 ⋅  2020-12-04 16:26
吴玲理事长：中国正迎来第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期
 评论 ⋅  2020-12-04 13:52
江苏博睿光电梁超：Y2O3-CaF2对LED用AlN封装基板性能的影响
 评论 ⋅  2020-12-03 18:11
天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
 评论 ⋅  2020-12-03 18:02
电子科技大学刘成艺：n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt欧姆接触电极在空气中高温退火处理的失效机理研究
 评论 ⋅  2020-12-03 17:58
桂林电子科技大学王浩洁：多场载荷下功率器件IGBT寿命预测分析
 评论 ⋅  2020-12-03 17:49
佛山市香港科技大学赵惠珊：PWM脉冲驱动模式下UVLED动态结温的无量纲化拟合研究
 评论 ⋅  2020-12-03 17:45
复旦大学樊嘉杰:可靠性设计的发展和挑战
 评论 ⋅  2020-12-03 17:40
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