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日本丰田汽车公司Kimimori HAMADA:超窄体(UNB)MOSFET和接地窄而深p(GND)MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN:原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN:4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
日本名古屋大学宇治原徹:CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
IGBT龙头斯达半导拟投资2.29亿元布局碳化硅赛道
科技部部长王志刚:完善科技创新体制机制
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