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【CASICON 2021】中电科十三所郭建超:金刚石微波功率器件研究
【CASICON 2021】苏州晶湛半导体向鹏:用于新型GaN功率器件的外延技术进展
【CASICON 2021】西安交通大学李强:大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
【CASICON 2021】安徽芯塔电子科技倪炜江:高性能高压
SiC
器件设计与技术
【CASICON 2021】奥趋光电吴亮:AlN/AlScN材料制备技术及其在5GRFFE滤波及功率器件等领域应用前景展望
【CASICON 2021】中电科五十五所刘强:碳化硅MOSFET技术问题及55所产品开发进展
【CASICON 2021】南京邮电大学张珺:基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
【CASICON 2021】厦门大学梅洋:氮化镓基VCSEL技术进展
【CASICON 2021】唐晶量子龚平:6 inch GaAs基VCSEL和射频外延技术
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:
SiC
MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:氧化镓功率器件制备与封装技术
【CASICON 2021】北京大学杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
【CASICON 2021】南砂晶圆彭燕:碳化硅与金刚石单晶衬底技术与产业化研究
【CASICON 2021】西交利物浦大学刘雯:硅基GaN MIS-HEMT单片集成技术
【CASICON 2021】南京航空航天大学张之梁:1kV宽禁带LLC变换器控制与应用
CASICON 2021:2021中国(南京)功率与射频半导体技术市场应用峰会最新看点
CASICON
2021
南京功率
射频半导体
技术市场
应用峰会
第三代半导体
氮化镓
碳化硅
【CASICON 2021】青岛聚能创芯刘海丰:面向快充应用的GaN材料和器件技术
【CASICON 2021】爱发科左超:量产高性能功率与射频器件的 ULVAC装备技术
【CASICON 2021】南京大学叶建东:氧化镓双极型异质结功率器件研究
【CASICON 2021】南京大学陈鹏:低开启/超高压GaN肖特基功率器件研究新进展
上海电气:计划在8-10年内成为上海电气功率半导体器件集成封装/测试的公共平台,打造第三代半导体产品(
SiC
)
【CASICON 2021】电子科技大学邓小川:极端应力下碳化硅功率MOSFET的动态可靠性研究
【CASICON 2021】中科院上海微系统研究所郑理:SOI基GaN材料及功率器件集成技术
闻泰科技:加强在中高压Mosfet、化合物半导体产品
SiC
和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:超过
SiC
限制的 1.2-10 kV GaN功率器件
【CASICON 2021】第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山:中国功率与射频技术市场现状及未来展望
CASICON
2021
第三代半导体
联盟秘书长
于坤山
功率
射频技术
市场现状
未来展望
【CASICON 2021】启迪半导体钮应喜:碳化硅外延装备及技术进展
【CASICON 2021】中国科学技术大学龙世兵:低成本高性能氧化镓功率器件
【CASICON 2021】东南大学教授刘斯扬:
SiC
功率MOSFET器件可靠性研究进展
【CASICON 2021】Crosslight创始人李湛明:将GaN功率器件推向极限——材料和TCAD视角
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21
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