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IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
天科合达8英寸SiC衬底二期项目开工！
 评论 ⋅  2024-11-12 18:29
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源
 评论 ⋅  2024-11-08 11:05
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V，直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单
 评论 ⋅  2024-10-24 17:14
富特科技：已实现SiC半导体器件在产品中的量产应用，且应用技术已相对成熟
 评论 ⋅  2024-10-24 09:24
中国科学院半导体研究所SiC晶圆平坦化设备采购项目竞争性磋商
 评论 ⋅  2024-10-23 15:50
烁科晶体SiC二期项目通过竣工验收，正式投产！
 评论 ⋅  2024-10-23 15:06
新洁能：SiC/GaN项目年底竣工投产
 评论 ⋅  2024-10-22 10:07
钜芯半导体新建SiC生产线
 评论 ⋅  2024-10-21 17:31
方正微电子8吋SiC线年底通线
 评论 ⋅  2024-10-18 18:09
方正微电子：2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力
 评论 ⋅  2024-10-16 14:58
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-15 16:35
泰国将投资3.5亿美元建设首个SiC工厂，预计2027年运营
 评论 ⋅  2024-10-09 11:16
20亿！科友半导体SiC项目签约杭州
 评论 ⋅  2024-09-26 18:44
ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
 评论 ⋅  2024-09-25 17:12
长飞先进武汉基地SiC项目
 评论 ⋅  2024-09-12 17:09
芯联集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET产品出货量均位居国内第一
 评论 ⋅  2024-09-12 17:07
汉磊&世界先进携手共建8吋SiC产线
 评论 ⋅  2024-09-11 15:32
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
 评论 ⋅  2024-09-11 14:17
捷报！合盛8英寸导电型4H-SiC衬底项目全线贯通
 评论 ⋅  2024-09-10 22:47
上半年SiC汽车中国销售近110万辆，多家SiC概念股受益业绩大增
 评论 ⋅  2024-09-09 19:43
河北同光半导体取得SiC专利，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘
 评论 ⋅  2024-09-09 08:34
三安半导体与虹安微电子战略合作，加强SiC领域合作
 评论 ⋅  2024-09-06 14:17
芯联集成：公司SiC以及功率模组的增长主要受益于头部客户需求增加及国产替代的需求
 评论 ⋅  2024-09-04 14:24
罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
 评论 ⋅  2024-09-04 14:02
德智新材半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
 评论 ⋅  2024-08-30 17:13
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