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IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
华虹半导体“低压超结MOSFET的工艺方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-04 17:50
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
扬杰电子申请新型多级沟道SiC MOSFET元胞结构与制造方法专利，方法制作工艺简单
 评论 ⋅  2024-10-29 18:01
上海华虹宏力申请接触孔自对准的MOSFET制造方法专利
 评论 ⋅  2024-10-24 10:03
广东气派科技申请 MOSFET 的封装结构专利，采用封装结构得到的 MOSFET 散热性能佳
 评论 ⋅  2024-10-24 10:02
华虹宏力“一种嵌入式肖特基MOSFET制作方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-10-21 16:50
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-15 16:35
ST官宣！推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术
 评论 ⋅  2024-09-25 17:12
扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利，降低平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
龙腾股份取得 SGT-MOSFET 半导体器件制备方法相关专利，避免出现第一氧化层过薄
 评论 ⋅  2024-09-19 17:07
芯联集成：2023年及2024年上半年，公司SiC MOSFET产品出货量均位居国内第一
 评论 ⋅  2024-09-12 17:07
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
华润微推出宽SOA系列MOSFET产品
 评论 ⋅  2024-09-10 13:52
萃锦半导体筹建碳化硅MOSFET项目 月产增至3000片
 评论 ⋅  2024-09-10 13:47
扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的专利
 评论 ⋅  2024-09-05 13:58
罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型
 评论 ⋅  2024-09-04 14:02
华羿微电取得一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件及制备方法专利，提升器件整体的 SOA
 评论 ⋅  2024-09-03 11:03
河北博威集成电路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-26 15:36
积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-21 16:08
捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利，降低了开关损耗
 评论 ⋅  2024-08-15 16:08
纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs，专为AI数据中心和电动汽车等大功率场景打造
 评论 ⋅  2024-08-13 11:39
CASA立项SiC MOSFET动态/稳态高温工作寿命试验方法2项团体标准
 评论 ⋅  2024-08-08 16:21
华羿微电“新型功率MOSFET器件及其制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-07 09:31
华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-06 14:07
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
标准| SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-08-02 16:51
华润微：目前产能利用率满载，已对部分MOSFET、IGBT等产品加价
 评论 ⋅  2024-07-31 17:17
派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-07-31 10:05
SiC MOSFET 阈值电压等9项技术标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2024-07-22 13:51
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