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北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
成果推荐 | 硅衬底上基于高Al组分AlInGaN势垒层射频微波器件
 评论 ⋅  2024-03-13 20:04
厦门大学团队演示可同步辐射正交线偏振绿光的半极性InGaN基MCLED
 评论 ⋅  2024-01-24 17:32
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠：利用沟槽结构生长高效率InGaN红光
 评论 ⋅  2023-11-27 22:08
【CASICON 2023】湖南大学半导体学院（集成电路学院）李阳锋：原位AlGaN插入层降低InGaN LED漏电流
 评论 ⋅  2023-05-09 11:18
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
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