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第四代半导体迎来新进展 相关A股公司抢抓“新风口”
氧化镓外延片单晶Ga2O3金刚石氮化铝
 评论 ⋅  2024-01-09 10:42
IFWS 2023│高通量方法辅助筛选和预测半导体界面结构——以β-Ga2O3 /AlN 界面为例
 评论 ⋅  2023-12-05 17:20
论文推介丨山东大学 · Ni掺杂β-Ga2O3单晶的光、电特性研究
 评论 ⋅  2023-10-09 16:03
中山大学裴艳丽：基于ε-Ga2O3的日盲紫外探测器件研究
 评论 ⋅  2023-08-03 10:32
CASICON西安前瞻| 中山大学教授裴艳丽：基于-Ga2O3的日盲紫外探测器件研究
 评论 ⋅  2023-07-23 14:31
CASICON西安前瞻| 中山大学裴艳丽教授：基于ε-Ga2O3日盲紫外探测器件研究
 评论 ⋅  2023-07-18 23:17
一文了解第四代半导体材料氧化镓(Ga2O3)
 评论 ⋅  2022-05-31 12:07
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
西安电子科技大学袁海东：β-Ga2O3/2D异质结界面性能调控及其潜在应用
 评论 ⋅  2021-12-10 17:19
南京大学况悦：κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲
 评论 ⋅  2021-12-10 17:06
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING：对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
 评论 ⋅  2021-12-10 16:42
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
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