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精智达DRAM晶圆老化测试设备进入验证阶段
 评论 ⋅  2024-01-03 15:36
三星电子将扩大尖端DRAM/NAND产量
 评论 ⋅  2023-11-01 10:56
外媒：三星电子计划明年扩大晶圆代工与DRAM产能，拟新设至少10台EUV
 评论 ⋅  2022-12-27 16:53
华为/中科院共研成果即将亮相？3D DRAM商业化尚需时日
 评论 ⋅  2022-05-31 09:50
华为新型3D DRAM成果亮相集成电路国际顶会
 评论 ⋅  2022-05-23 11:39
三星推出512GB内存扩展器 CXL DRAM
 评论 ⋅  2022-05-10 14:13
台媒：长鑫存储将于Q2交付17nm DRAM样品
 评论 ⋅  2022-03-22 09:56
美光重新调整其DRAM战略
 评论 ⋅  2022-02-18 10:19
华邦电新12英寸厂设备迁入，生产25nm利基型DRAM
 评论 ⋅  2022-01-19 14:20
DRAM价格进入下行周期，三星和SK海力士将启动出货控制计划
 评论 ⋅  2021-11-04 14:44
SK海力士开发业界第一款HBM3 DRAM
 评论 ⋅  2021-10-20 15:55
三星已开始使用极紫外光刻技术量产14纳米DRAM芯片
 评论 ⋅  2021-10-12 18:48
三星宣布量产14纳米EUV DDR5 DRAM
 评论 ⋅  2021-10-12 18:02
SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米（1a）级DRAM
 评论 ⋅  2021-07-12 16:35
SK海力士：7月初量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM
 评论 ⋅  2021-07-12 10:51
外媒：三星被指控操纵DRAM市场 美光等多家公司涉嫌串通
外媒三星操纵DRAM市场美光涉嫌串通
 评论 ⋅  2021-05-07 14:25
美光推出限量版 Crucial®（英睿达）Ballistix®（铂胜）MAX 5100 游戏 DRAM，为市场带来最高速度
内存超频游戏性能产品速度
 评论 ⋅  2020-09-10 08:14
Crucial英睿达：不同DRAM可否混搭？
模块延时速度电压内存混合
 评论 ⋅  2020-08-31 08:49
研究机构预计三大DRAM厂商今年资本支出继续下滑 三星降至49亿美元
三星美元研究机构减少支出预计
 评论 ⋅  2020-08-27 01:58
新思科技发布业界首个用于下一代DRAM/DIMM设计的JEDEC DDR5验证IP
思科验证性能内存包括纳斯达克
 评论 ⋅  2020-08-27 01:06
合肥长鑫有望成全球第四大DRAM厂 17nm内存明年问世
三星合肥空港亿元内存南亚
 评论 ⋅  2020-08-26 01:49
TrendForce集邦咨询：2020年第二季DRAM总产值至171亿美元
三星产能第二季制程营收三大
 评论 ⋅  2020-08-21 05:50
贸泽开售英特尔傲腾持久内存作为DRAM的突破性替代产品
英特尔内存持久提供内存条设计
 评论 ⋅  2020-08-20 08:15
研究机构预计DRAM今年销售额645.55亿美元 远不及2018年
销售额预计出货量全球集成电路研究机构
 评论 ⋅  2020-08-03 05:55
第四代低功耗动态 DRAM 与其延展版的车辆应用解决方案
车用内存半导体封装电子提供
 评论 ⋅  2020-07-29 07:07
国产DRAM内存抱团发展 合肥长鑫与长三角3家公司达成合作
内存合肥公司芯片这是电子
 评论 ⋅  2020-06-08 01:57
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