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IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
大连理工大学王德君教授：SiC MOS器件氧化后退火新途径--低温再氧化退火技术
大连理工大学王德君教授SiCMOS器件氧化后退火低温再氧化退火技术
 评论 ⋅  2021-12-10 09:28
工信部电子工业标准化研究所陈大为研究员：国产车规芯片准入标准与途径
工信部电子工业标准化研究员陈大为国产车规芯片准入标准途径
 评论 ⋅  2021-06-10 20:12
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