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CSPSD 2024成都前瞻|北京智慧能源
研究
院所长金锐受邀将出席“2024功率半导体器件与集成电路会议”
浙江省集成电路 EDA 技术重点企业
研究
院正式挂牌
武汉大学海门集成电路
研究
中心成立
招聘信息丨西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体
研究
院诚邀全球英才
中国电科产业基础
研究
院:全力开新局 引领第三代半导体创“芯”发展
招贤纳士 | 复旦大学宁波
研究
院宽禁带半导体材料与器件
研究
所诚聘博士后
研究
人员
两会声音|全国人大代表傅志伟:半导体行业必须加强基础
研究
,在自主创新道路上走出‘芯’路
湖南大学长沙半导体技术与应用创新
研究
院产业化基地揭牌
《半导体学报》发布2023年度中国半导体十大
研究
进展
天岳先进:持续进行碳化硅单晶基础
研究
以提高晶体生长效率和质量
“基于第三代半导体射频微系统芯片
研究
”国家重点研发计划项目启动
【招聘】中国科学院宁波材料技术与工程
研究
所宽禁带半导体方向诚聘博士后
华南师范大学王幸福:GaN微纳结构及其光电子器件
研究
GaN微纳米器件
紫外探测器件
厦门市翔安区-6-8英寸SiC外延晶片产业化项目可行性
研究
报告
中国电科第四十八
研究
所40台SiC外延设备成功Move in
中国电科
第四十八研究所
自主研发
SiC外延炉
Move
in
上海交大无锡光子芯片
研究
院光子芯片中试线首批设备入场
中国科学院半导体所伍绍腾:基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件
研究
北京大学教授于彤军:大尺寸AlN单晶生长
研究
厦门大学张峰:新型沟槽SiC基MOSFET器件
研究
易美新创刘国旭:单晶蓝绿双波长LED在宽色域背光应用的
研究
山东大学徐明升:SiC的高温氧化
研究
IFWS 2023│九峰山实验室袁俊:新型碳化硅沟槽器件技术
研究
进展
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙:大尺寸SiC单晶的
研究
进展
基金委部署集成芯片前沿技术科学基础
研究
计划
国家自然科学基金委
集成芯片
前沿技术
重大研究计划
芯粒
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管
研究
IFWS 2023│晶格领域张泽盛:液相法碳化硅单晶生长技术
研究
北京大学无锡EDA
研究
院,揭牌!
北京大学无锡EDA
研究
院在无锡高新区揭牌
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理
研究
方面取得重要进展
IFWS 2023│日本国立材料
研究
所桑立雯:GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器
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