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华为战略研究院院长徐文伟：迈向智能世界2030的九大技术挑战与研究方向
华为徐文伟智能世界2030九大技术挑战研究方向
 评论 ⋅  2021-04-13 09:24
2020年半导体行业砷化镓、碳化硅专题研究
 评论 ⋅  2021-04-09 10:51
补研发短板 强产业链条 烟台新型半导体技术研究院明年投用
 评论 ⋅  2021-03-29 11:50
大力开展集成电路等标准的研究制定 工信部发布工业和信息化标准工作要点
集成电路标准工信部要点
 评论 ⋅  2021-03-17 16:16
研究机构预计今年全球智能手机出货量同比增长5.5% 5G占40%
 评论 ⋅  2021-03-12 17:16
新一代 SiC 功率 MOSFET 器件研究进展
 评论 ⋅  2021-03-08 16:56
半导体行业联名“上书”要补贴 呼吁拜登为半导体制造研究提供资金
半导体行业补贴拜登半导体制造资金
 评论 ⋅  2021-02-19 08:21
我国在氮化镓界面态研究方面取得重大突破
 评论 ⋅  2021-01-21 16:59
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
微电子所氮化镓界面态
 评论 ⋅  2021-01-18 08:31
功率半导体行业研究：景气向上，国产化替代正当时
 评论 ⋅  2021-01-11 09:56
中电科55所李士颜博士：碳化硅功率MOSFET研究进展
 评论 ⋅  2020-12-17 17:54
深圳第三代半导体研究院杨安丽：抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
 评论 ⋅  2020-12-17 17:49
华北电力大学李学宝：高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:44
浙江大学任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
 评论 ⋅  2020-12-17 17:27
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩：宽禁带功率器件的宇航应用技术
 评论 ⋅  2020-12-16 18:20
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
中国电科十三所王元刚：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究
 评论 ⋅  2020-12-15 16:08
上海光学精密机械研究所夏长泰:极宽禁带半导体氧化镓单晶掺质之实践与思考
 评论 ⋅  2020-12-14 17:19
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
中兴通讯蔡小龙：针对5G基站中射频氮化镓HEMT的失效分析研究
 评论 ⋅  2020-12-11 16:17
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
河北半导体研究所周幸叶：紫外探测用高性能4H-SiC雪崩光电二极管及其阵列
 评论 ⋅  2020-12-08 16:06
中科院宁波材料技术与工程研究所郭炜：铝镓氮深紫外量子阱及LED，斜切角衬底及横向极性畴的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-08 15:58
中科院半导体研究所研究员闫建昌：氮化物深紫外LED研发方向，从二维材料到纳米结构
 评论 ⋅  2020-12-08 15:50
研究报告：半导体深度研究报告之模拟芯片
 评论 ⋅  2020-12-08 09:55
南方科技大学孙小卫：量子点显示技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-07 16:28
北京大学陈志忠:Micro-LED大注入条件下的多体效应研究
 评论 ⋅  2020-12-07 16:13
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