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华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-06 14:07
中芯集成-U 申请 MEMS 器件及其制备方法专利，避免大量自由电荷堆积在振膜中
 评论 ⋅  2024-07-12 15:57
中国科技大学Alsaman A. amgad：HEMT器件通道内2DEG电荷的空间非均匀性
 评论 ⋅  2021-12-14 14:34
二极管为什么单向导电？这篇文章终于说明白了
电场导通电荷电压半导体空穴
 评论 ⋅  2020-06-08 03:02
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