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扬杰科技申请一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法的专利
 评论 ⋅  2024-09-05 13:58
盛合晶微半导体（江阴）申请 3D 垂直互连封装结构及其制备方法专利，实现高密度封装
 评论 ⋅  2024-09-04 14:55
中图科技申请一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 17:55
西安奕斯伟材料申请用于外延设备的处理方法专利
 评论 ⋅  2024-08-30 15:58
江苏晶工申请扩建30亩碳化硅相关设备生产基地
 评论 ⋅  2024-08-13 16:36
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本
 评论 ⋅  2024-08-05 17:20
应用材料40亿美元研发中心项目的美国芯片法案拨款申请遭拒
 评论 ⋅  2024-08-01 10:45
华光光电申请一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法专利
 评论 ⋅  2024-07-31 10:21
扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利，降低 SiCMOSFET 栅极电容
 评论 ⋅  2024-07-18 16:20
中芯集成-U 申请 MEMS 器件及其制备方法专利，避免大量自由电荷堆积在振膜中
 评论 ⋅  2024-07-12 15:57
银河微电申请SiCMOSFET板级封装优化设计方法专利，设计效率高
 评论 ⋅  2024-07-04 10:43
北京大学申请金刚石基氮化物半导体异质结构制备方法专利，能够得到高质量且低热阻的金刚石基氮化物半导体异质结构
 评论 ⋅  2024-07-01 16:06
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
 评论 ⋅  2024-06-04 15:48
新瑞昕申请新三板挂牌：专注于高端精密线锯及金刚石切削工具的研发与制造
 评论 ⋅  2024-06-04 15:45
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
突发！封测大厂被申请破产清算
 评论 ⋅  2024-06-03 11:32
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置专利
 评论 ⋅  2024-05-10 10:00
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利，提高了老化效率，加速了双极退化
 评论 ⋅  2024-03-28 12:01
清华大学申请半导体装置的制备方法、半导体装置和电子设备专利
 评论 ⋅  2024-03-27 14:29
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
华为公司申请半导体器件及其制备方法专利，降低半导体器件的功率损耗
 评论 ⋅  2024-03-22 17:30
晶合集成申请半导体器件专利，提升半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-03-13 19:17
长鑫存储申请晶圆级封装方法专利，提高晶圆封装的良率
 评论 ⋅  2024-03-12 17:52
比亚迪半导体申请终端结构及其制造方法以及功率器件专利，能够提高耐压值
 评论 ⋅  2024-03-08 15:13
北京大学申请大尺寸高热导率III族氮化物外延材料的制备方法专利，提高整个异质集成结构的热导率
 评论 ⋅  2024-03-06 10:13
海信家电申请半导体装置专利，降低半导体装置的生产成本
 评论 ⋅  2024-03-05 15:55
东微半导申请氮化镓器件及其制造方法专利，提供一种氮化镓器件
 评论 ⋅  2024-03-05 13:51
扬杰科技申请高封装功率密度的GaNHEMT器件及其制备方法专利
 评论 ⋅  2024-03-04 17:01
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