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广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
【IFWS2024】 碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-05 16:32
长光华芯“半导体材料生长速率的测试方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 10:10
IFWS2024：氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-31 09:33
标准 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨等2项技术标准形成委员会草案
 评论 ⋅  2024-10-29 16:31
江苏集芯申请大尺寸碳化硅晶体生长坩埚及生长装置专利，保证晶体中心位置和外侧边缘的生长速率相一致
 评论 ⋅  2024-10-21 10:06
长宇科技取得一项外延生长基盘用高均质性特种石墨材料的制备方法专利，能够保持产品制备的稳定性
 评论 ⋅  2024-09-20 10:56
富加镓业年产10000片6英寸氧化镓单晶及外延片生长线开工
 评论 ⋅  2024-09-14 15:51
河北同光半导体取得SiC专利，实现将源于生长区石墨件腐蚀引起的包裹物分布控制在晶体边缘
 评论 ⋅  2024-09-09 08:34
瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权
 评论 ⋅  2024-08-29 16:08
晶盛机电：12英寸硅减压外延生长设备顺利实现销售出货，ALD设备处于验证阶段
 评论 ⋅  2024-08-29 11:33
北方华创“碳化硅晶体生长装置”专利公布
 评论 ⋅  2024-08-16 17:24
北京理工大学团队在杂化范德华外延生长研究方向取得重要突破
 评论 ⋅  2024-08-14 14:11
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-08-02 16:54
标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见
 评论 ⋅  2024-07-26 11:03
CASICON晶体大会前瞻|北京化工大学张纪才:（11-22）AlN材料的HVPE生长及其二极管制备研究
 评论 ⋅  2024-06-17 11:05
CASICON晶体大会前瞻|西安交通大学王若铮：MPCVD法生长英寸级单晶金刚石的相关机理探讨
 评论 ⋅  2024-06-11 11:16
晶盛机电：在功率半导体领域，先后成功研发8英寸及12英寸常压硅外延生长设备并实现销售
 评论 ⋅  2024-05-24 16:40
CASA立项《碳化硅单晶生长用等静压石墨》标准
 评论 ⋅  2024-03-04 17:05
实验室成功生长出8英寸碳化硅单晶、2024年度科研资金超百亿元
 评论 ⋅  2024-02-18 09:14
天岳先进：持续进行碳化硅单晶基础研究以提高晶体生长效率和质量
 评论 ⋅  2024-01-30 18:00
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究
 评论 ⋅  2023-12-27 13:55
IFWS 2023│200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长
 评论 ⋅  2023-12-20 11:52
晶盛机电：公司碳化硅生长设备为自研自用
晶盛机电碳化硅生长
 评论 ⋅  2023-12-19 13:41
IFWS 2023│晶格领域张泽盛：液相法碳化硅单晶生长技术研究
 评论 ⋅  2023-12-15 13:38
IFWS 2023│Yuri MAKAROV：利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体
 评论 ⋅  2023-12-08 14:32
IFWS 2023│中国科学院半导体所闫果果：6英寸碳化硅外延生长及深能级缺陷研究
 评论 ⋅  2023-12-07 17:38
IFWS 2023│中国科学院苏州纳米所司志伟：助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-07 15:07
IFWS 2023│氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术分会召开
 评论 ⋅  2023-11-30 08:35
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