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中科院半导体研究所张逸韵：玻璃衬底氮化物异构外延
 评论 ⋅  2021-12-23 16:25
中镓半导体刘强：2英寸低位错密度高电导率和半绝缘氮化镓自支撑衬底的生长
 评论 ⋅  2021-12-23 16:20
最新关注 氮化物半导体衬底与外延技术进展
 评论 ⋅  2021-12-23 16:09
基于氮化镓业务发展的考虑 赛微电子(300456.SZ)拟转让聚能国际24.5%股权
氮化镓业务发展赛微电子聚能国际
 评论 ⋅  2021-12-22 16:52
晶方科技拟加强对第三代半导体氮化镓器件公司VisIC的投资
晶方科技以色列第三代半导体VisIC投资
 评论 ⋅  2021-12-20 15:23
西安电子科技大学刘志宏：面向移动SoC应用的氮化镓射频器件研究进展
 评论 ⋅  2021-12-14 14:44
中电科第十三研究所梁士雄：基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器
 评论 ⋅  2021-12-14 14:43
美国Analog设备张薇葭：基于直接键合工艺液冷散热技术的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
 评论 ⋅  2021-12-13 18:14
西安电子科技大学王婷婷：基于金属氮化物阳极的凹槽双阳极SBD研究
 评论 ⋅  2021-12-13 11:44
最新进展分享 氮化镓功率电子器件论坛成功举行
 评论 ⋅  2021-12-13 11:24
郑州大学刘玉怀：六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
 评论 ⋅  2021-12-10 17:11
美国康奈尔大学教授Huili Grace XING：对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
 评论 ⋅  2021-12-10 16:42
晶湛半导体总部大楼正式奠基，标志着氮化镓外延材料产业化基地正式启航
晶湛半导体总部大楼奠基氮化镓外延材料产业化基地
 评论 ⋅  2021-12-02 17:02
第三代半导体产业乘风破浪，谁将会傲立潮头？
第三代半导体氮化镓碳化硅GaN衬底Micro-LEDCOBMiniCOB
 评论 ⋅  2021-11-30 21:05
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化镓功率器件论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-29 11:09
IFWS& SSLCHINA 2021前瞻：氮化物半导体衬底与外延技术论坛最新日程出炉
 评论 ⋅  2021-11-27 18:56
环旭电子宣布投资氮化镓系统有限公司 加码功率电子战略
 评论 ⋅  2021-11-25 16:05
IFWS 2021前瞻：中国电科首席科学家冯志红将出席射频电子器件与应用论坛
氮化镓肖特基二极管太赫兹倍频器冯志红中国电科
 评论 ⋅  2021-11-22 16:04
闻泰科技：安世半导体推出领先性能的氮化镓功率器件 (GaN FET)
 评论 ⋅  2021-11-05 17:24
2022年全球氮化镓行业市场现状及发展前景分析
 评论 ⋅  2021-10-21 17:17
广州又一氮化镓项目要开建，中试能力1000片/年！
 评论 ⋅  2021-10-15 17:17
南京芯干线周阳：氮化镓功率器件及在数字电源中的应用
 评论 ⋅  2021-10-11 15:23
氮化镓厂商晶通半导体获千万元融资
 评论 ⋅  2021-10-09 15:24
深圳大学刘新科：基于氮化镓单晶衬底的半导体器件
 评论 ⋅  2021-10-08 10:59
下一代半导体：越走越“宽”，还是越“窄”？
半导体氧化镓金刚石氮化铝镓窄带半导体
 评论 ⋅  2021-09-30 18:18
华为发布66W氮化镓超薄充电器 厚度减少62%
 评论 ⋅  2021-09-24 15:10
【CASICON 2021】厦门大学梅洋：氮化镓基VCSEL技术进展
 评论 ⋅  2021-09-16 14:44
CASICON 2021：2021中国（南京）功率与射频半导体技术市场应用峰会最新看点
CASICON2021南京功率射频半导体技术市场应用峰会第三代半导体氮化镓碳化硅
 评论 ⋅  2021-09-15 18:04
2020年度苏州工业园区纳米氮化镓专项补贴申报启动
 评论 ⋅  2021-09-15 14:04
港科大开发基于氮化镓的互补逻辑集成电路，极大提升第三代半导体材料应用前景
 评论 ⋅  2021-09-09 11:05
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