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芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利,提高了
栅极
可靠性
华羿微电“一种低
栅极
电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利获授权
扬杰科技申请降低
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电容的 SiCMOSFET 及制备方法专利,降低 SiCMOSFET
栅极
电容
新微半导体“一种HEMT器件的
栅极
、HEMT器件及其制备方法”专利获授权
CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大学孙佳慧:肖特基型p-GaN栅GaN HEMT的
栅极
抗静电鲁棒性
IFWS 2023│华南师范大学尹以安:具复合
栅极
和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
西安交通大学王玮:低功函数
栅极
增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮:低功函数
栅极
增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
ROHM确立
栅极
耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制
韩国Wavice Inc首席技术官Sangmin LEE:i-line步进器实现的具有各种
栅极
尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
加拿大多伦多大学教授吴伟东:GaN功率晶体管和功率模块的智能
栅极
驱动器
解析适用于 SiC
栅极
驱动的 PCB 布局方法
意法半导体推出紧凑型SO-8W封装6kV磁隔离高压
栅极
驱动器
如何放缓开关期间的dV/dt
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电路
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寄生
Microchip推出业界唯一低电感碳化硅(SiC)功率模块和可编程
栅极
驱动器工具包,助力逆变器设计人员
栅极
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模块
英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域
英飞凌
模块
栅极
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封装
两会再传充电桩产业利好,以高效率、大功率充电解决方案迎接新基建风口
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