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CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
IFWS 2023│台湾成功大学李清庭：GaN基单片电子器件的集成互补金属氧化物半导体D模和E模高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2023-12-08 16:40
湖南大学物电院刘渊教授团队在小尺寸晶体管研究中取得新进展
 评论 ⋅  2023-12-06 17:10
山东大学徐明升：金刚石场效应晶体管及深紫外光电探测研究
 评论 ⋅  2023-08-03 11:13
西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-08-01 14:44
CASICON西安站前瞻|西安交通大学王玮：低功函数栅极增强型氢终端单晶金刚石场效应晶体管研究
 评论 ⋅  2023-07-13 16:02
实现1>1+1的创新！Wolfspeed 碳化硅基氮化镓功率晶体管，赋能蜂窝通信创新
 评论 ⋅  2023-03-14 19:06
CASA发布T/CASAS 022-2022 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范
 评论 ⋅  2022-12-09 15:16
深圳智芯微电子牵头起草的《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》团体标准已形成委员会草案
 评论 ⋅  2022-11-11 15:24
深圳智芯微牵头T/CASAS 022《三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范》征求意见
 评论 ⋅  2022-10-08 15:13
闻泰科技：安世半导体的产品主要包括Mosfet、逻辑与晶体管等
 评论 ⋅  2022-09-19 16:38
重磅！3.5亿个晶体管，国内集成电路领域再突破
 评论 ⋅  2022-05-20 16:51
800亿晶体管，20块GPU 今年GTC大会上黄仁勋继续大秀“AI肌肉”
 评论 ⋅  2022-03-23 10:14
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破
 评论 ⋅  2022-03-11 10:35
加拿大多伦多大学教授吴伟东：GaN功率晶体管和功率模块的智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2021-12-13 11:51
中科院半导体所张逸韵：基于MOCVD生长的β-Ga2O3纳米线晶体管及其日盲光电晶体管探测器研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:22
山东大学徐明升：基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
 评论 ⋅  2021-12-10 17:16
西安交通大学王艳丰：大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
 评论 ⋅  2021-12-10 17:13
阿里平头哥发布自研云芯片: 5nm工艺、600亿晶体管
 评论 ⋅  2021-10-19 17:44
【CASICON 2021】苏州能讯高能半导体Amagad Ali Hasan：基于物理的5G射频GaN晶体管模型、趋势和挑战
 评论 ⋅  2021-09-18 17:55
意法半导体推出了新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品
 评论 ⋅  2021-01-20 16:11
中山大学黎城朗：凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
 评论 ⋅  2020-12-16 18:30
台积电和Graphcore准备合作研发3nm AI加速芯片
积电晶体管节点芯片工艺处理器
 评论 ⋅  2020-08-28 01:52
格芯赢得AI芯片业务
功耗晶体管电压设计芯片单元
 评论 ⋅  2020-08-20 08:08
Transphorm的第二款900 V GaN FET现已投入生产
功率氮化器件晶体管伊利诺伊封装
 评论 ⋅  2020-08-19 05:52
世界最大AI处理器升级7nm工艺：85万核心、2.6万亿晶体管
芯片核心晶体管加速卡翻倍面积
 评论 ⋅  2020-08-19 01:52
GaN器件的直接驱动配置
开关拓扑晶体管器件损耗更佳
 评论 ⋅  2020-08-04 01:37
英国Graphcore推出比英伟达更复杂的新款AI处理器
芯片英伟该公司晶体管并行人工智能
 评论 ⋅  2020-07-16 02:17
超高压晶体管问世 旨在提高电动车的续航能力和效率
晶体管电压氧化电子器件电子氮化
 评论 ⋅  2020-06-03 02:32
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