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昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利,提升终端
效率
并提高工艺容错率
汉斯半导体取得一种 IGBT 模块封装外壳抛光装置专利,抛光
效率
高
英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V,直流母线电压最高可达1500 VDC,
效率
更高,设计更简单
格创东智天枢AI平台3.0:从数据到效果,闭环服务提升产线
效率
福建泓光半导体材料取得一种光刻胶自动过滤装置专利,提高工作
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豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利,有效提高微纳结构中有源层的发光
效率
银河微电申请SiCMOSFET板级封装优化设计方法专利,设计
效率
高
广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利,提高了老化
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,加速了双极退化
天岳先进:持续进行碳化硅单晶基础研究以提高晶体生长
效率
和质量
中科潞安量产产品性能再升级 大功率UVC-LED器件实验室
效率
破9.5%
中科潞安
深紫外
UVC-LED
三安光电臧雅姝:固态紫外线光源现状和技术挑战
三安光电
固态紫外线
UVA/B/C
光源
NPSS
超晶格
光子提取效率
利用激光垂直剥离突破碳化硅SiC切割成本与
效率
,晶飞半导体获数千万元天使轮融资
SSLCHINA2023│北京大学教授陈志忠:利用沟槽结构生长高
效率
InGaN红光
SSLCHINA2023│北京工业大学郭伟玲:MicroLED的尺寸效应与高色彩转换
效率
美国国家工程院院士Umesh Mishra:高
效率
氮化物功率半导体和射频电子研究进展
泰克携手芯源系统(MPS)助力高
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高功率密度电源应用
美国Bolb公司董事长张剑平博士:透明紫外C波段发光二极管的光提取
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和性能
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平:透明紫外C波段发光二极管的光提取
效率
和性能
武大研究团队实现24.1%高
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钙钛矿近红外发光LED
范德华力辅助传热工程用于柔性钙钛矿电池 41.3%高
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南方电网推出新一代充电桩 充电峰值
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达96%
重庆永川成功研发无辐射远距离无线供电发射芯片,充电
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可达80%以上
Wolfspeed CEO:碳化硅 SiC 开启能源
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新时代
镓未来推出图腾柱PFC+LLC量产电源方案:内置氮化镓,700W输出
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高
东芝推出采用最新一代工艺150V N沟道功率MOSFET大幅提高电源
效率
GaN Systems和徐州金沙江半导体共同展示GaN在提高数据中心
效率
和盈利能力方面的巨大优势
中环股份2021年净利40.2亿元,单台炉产
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业内领先!
又要涨价!英飞凌:成本增加到已无法通过提高内部
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来吸收
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小
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更高的工业设备
中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心曾建平:宽频段高
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单片集成GaN基SBD倍频电路研究
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