新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
长电科技
芯
半导体
中国
华为
第三代半导体
氮化镓
半导体产业
首页
新闻资讯
区域动态
行业活动
专题聚焦
招聘求职
资料下载
视频
首页
>
新闻资讯
>
搜索
综合排序
最多点击
最新发布
全部类别
技术
材料
产业
财经
应用
北京市长陈吉宁:推动集成电路、人工智能等领域“卡脖子”
技术
实现新突破
《“十四五”国家信息化规划》发布,加快集成电路关键
技术
攻关
DB HiTek 将采用硅基氮化镓
技术
改进 8 英寸半导体工艺
DB
HiTek
硅基
氮化镓
8英寸
半导体工艺
国家第三代半导体
技术
创新中心研发与产业化基地开工
国家
第三代半导体
技术创新中心
产业化基
苏州纳米城
首场元宇宙体系架构、关键
技术
及产业发展与布局培训班即将开班
剥离转移良率接近100%,上海芯元基突破Micro LED芯片量产关键
技术
江苏第三代半导体研究院:推动产业创新能力整体跃升
江苏第三代半导体研究院
第三代半导体
技术创新中心
深圳大学物理与光电工程学院副院长武红磊:氮化铝晶体PVT生长装置及
技术
研究
日本产业
技术
综合研究所沈旭强:无氨高温 MOCVD 生长的高质量极性和半极性氮化铝
中科院宁波材料
技术
与工程研究所陈荔:基于蓝宝石衬底的半极性面AlN外延及高温热处理研究
最新关注 氮化物半导体衬底与外延
技术
进展
厦门大学校长张荣教授:宽禁带半导体全面支撑光电子
技术
的可持续发展
厦门大学
校长
张荣
教授
宽禁带半导体
光电子技术
上海瞻芯电子杨义:SiC MOSFET多管并联均流驱动
技术
探讨
浙江老鹰半导体莫庆伟:VCSEL
技术
发展及其在智能感测与汽车雷达中的应用
广东晶科电子何贵平:车规LED
技术
进阶及新产品形态
中科院半导体研究所张连:亚毫米波段GaN基HEMT与选区外延
技术
研究
韩国Wavice Inc首席
技术
官Sangmin LEE:i-line步进器实现的具有各种栅极尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性
美国Analog设备张薇葭:基于直接键合工艺液冷散热
技术
的紧凑型氮化镓功率模块设计及其热学模型研究
元宇宙时代,Mini/Micro-LED
技术
产业应用发展趋势
港科
技术
(佛山)董国帅:峰值波长为 222nm 的远紫外线KrCl准分子灯的活化能和寿命研究
艾欧史密斯(中国)陈小波:紫外杀菌
技术
在净水器中的应用研究
应用潜力不断释放 固态紫外材料与器件
技术
最新进展
哈尔滨工业大学赵丽丽:低成本碳化硅单晶材料产业化
技术
研究
爱思强中国区副总经理方子文:促进宽禁带半导体产业化的关键外延
技术
德国
爱思强
方子文
宽禁带半导体
产业化
关键外延技术
IFWS & SSLCHINA 2021:Mini/Micro-LED
技术
论坛成功召开
照明新时代 光健康与光品质
技术
应用新进展
聚焦新势力 钙钛矿量子点与激光照明显示
技术
进展
启迪半导体研发总监钮应喜:第三代半导体碳化硅器件产业化关键
技术
及进展
芜湖
启迪半导体
钮应喜
第三代半导体
碳化硅器件
产业化
大连理工大学王德君教授:SiC MOS器件氧化后退火新途径--低温再氧化退火
技术
大连理工大学
王德君教授
SiC
MOS器件
氧化后
退火
低温再氧化
退火技术
技术
与应用新进展 SSLCHINA 2021:固态紫外器件应用论坛成功举行
第
20
页/共
36
页
首页
下一页
上一页
尾页
联系客服
投诉反馈
顶部