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IFWS 2023│博睿光电梁超：面向高功率器件的超高导热AIN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-12-11 11:02
IFWS 2023│厦门大学徐翔宇：氧化镓缺陷研究，合金工程电子结构调制以及日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2023-12-05 16:32
IFWS 2023│三安光电王俞授：大功率蓝绿激光器开发与应用
 评论 ⋅  2023-11-29 19:49
天马与三安半导体签署战略合作协议 聚焦车载LED芯片技术开发
 评论 ⋅  2023-11-23 17:34
日本Rapidus、东京大学与法国研究机构合作开发1nm制程半导体
 评论 ⋅  2023-11-17 16:06
三菱电机和安世半导体将合作共同开发碳化硅功率半导体
 评论 ⋅  2023-11-13 20:34
广州开发区 广州市黄埔区促进集成电路产业发展办法印发
 评论 ⋅  2023-10-27 11:43
国芯科技与香港应科院签约合作开发AI芯片技术
 评论 ⋅  2023-10-20 15:19
台积电创始人公开发声：半导体不再有全球化 芯片制造商竞争将更加激烈
 评论 ⋅  2023-10-16 10:09
俄罗斯开发出可替代光刻机的芯片制造设备
 评论 ⋅  2023-10-10 16:30
CASICON 2023深圳前瞻 |博睿光电副总经理梁超博士：面向高功率器件的超高导热AlN陶瓷基板的研制及开发
 评论 ⋅  2023-09-28 13:45
IQE和VisIC宣布合作开发车用高可靠性D模式GaN功率产品
 评论 ⋅  2023-09-21 15:17
纬湃科技开发出创新型功率模块
 评论 ⋅  2023-09-14 08:50
三菱电机：集中精力开发12英寸硅晶圆和8英寸碳化硅晶圆
 评论 ⋅  2023-09-04 11:16
银川经济技术开发区的“蓝宝石”之光
 评论 ⋅  2023-08-25 09:49
或突破人工智能当前开发瓶颈，AI模拟芯片能效达传统芯片14倍
 评论 ⋅  2023-08-25 09:05
三安半年报：SiC业务增长178.86%，900V GaN器件完成开发
 评论 ⋅  2023-08-08 11:41
天津工业大学副教授李龙女：基于国产芯片的平面型封装1700V碳化硅模块开发与性能表征
 评论 ⋅  2023-08-01 17:00
中电科第五十五研究所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-08-01 16:51
CASICON 2023前瞻 中电科55所黄润华：SiC MOSFET器件技术现状及产品开发进展
 评论 ⋅  2023-07-13 11:24
海南三亚：探索开发5G+AR智慧旅游云平台
 评论 ⋅  2023-06-27 10:16
三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
 评论 ⋅  2023-06-09 17:23
日本尼得科将与瑞萨电子合作，开发新一代电动汽车用驱动装置
 评论 ⋅  2023-06-08 13:54
增资13亿元，加速上海集成电路设计产业园整体开发进程
 评论 ⋅  2023-06-08 10:20
外媒：英特尔计划在韩国首尔建设一个半导体数据中心开发实验室
 评论 ⋅  2023-06-02 16:57
日美将加强下一代半导体开发合作，中方：密切关注有关动向
 评论 ⋅  2023-05-30 17:34
Transphorm与美国国家安全技术加速机构签订协议 用于开发GaN外延片
 评论 ⋅  2023-05-25 17:16
三星、SK 加快 AI 半导体开发以响应 ChatGPT
 评论 ⋅  2023-05-15 13:56
安森美开发使用沟槽结构SiC器件
 评论 ⋅  2023-05-12 16:32
【CASICON 2023】德智新材余盛杰：半导体设备用SiC零部件开发及应用
 评论 ⋅  2023-05-09 11:14
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