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无锡博通申请半桥GaN增强型
开关
器件及其制备方法专利，保证器件的高速
开关
捷捷微电取得降低
开关
损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法专利，降低了
开关
损耗
CASA立项GaN HEMT非钳位感性负载
开关
鲁棒性测试方法1项团体标准
CSPSD 2024成都前瞻 |中国科学院微电子研究所蒋其梦：氮化镓功率器件
开关
安全工作区的研究
中国西电获得发明专利授权：“基于大容量电力电子
开关
施加故障电流装置及试验方法”
闻泰科技、重庆大学联合提案的SiC MOSFET
开关
动态测试标准提案立项
问卷 | SiC MOSFET
开关
测试标准预研问卷
标准 | 电子五所牵头的T/CASAS 005《用于硬
开关
电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法》形成委员会草案
意法半导体双通道高边
开关
为容性负载驱动设计带来更多灵活性
R&S联合FormFactor为得克萨斯大学奥斯汀分校研究5G和6G改进型射频
开关
提供支持
【CASICON 2021】西安交通大学李强：大面积hBN薄膜制备及 电阻
开关
特性研究
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工大学张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压
开关
中的鲁棒性
【CASICON 2021】南京工业职业技术大学雷建明：GaN功率
开关
器件及其高频电源应用
CASICON 2021前瞻：南京大学陈敦军教授将出席南京功率与射频半导体应用峰会
CASICON
2021
南京大学
陈敦军
功率
射频
半导体
氮化镓
功率开关器件
高频电源
南京集芯光电雷建明：氮化镓功率
开关
器件及其在超轻薄
开关
电源领域的应用研究
如何放缓
开关
期间的dV/dt
栅极
电路
缓冲
电感
波形
寄生
C&K 开发超小型防水微动
开关
开关
系列
设计
行程
使用寿命
世界上
关于
开关
频率需考虑的因素
开关
频率
变化
电流
稳压器
电感
减少
开关
损耗：儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET
提供
封装
评测
产品
分销商
在线
意法半导体推出安应用型的快速启动智能功率
开关
(IPS)
半导体
功率
保护
开路
两款
负载
直接通过汽车电池输入进行DC-DC转换：5 A、3.3 V和5 V电源符合严格的EMI辐射标准
开关
频率
降压
稳压器
效率
电感
IGBT –电动汽车空调的一项关键技术
开关
加热
加热器
产品
系统
半导体
GaN器件的直接驱动配置
开关
拓扑
晶体管
器件
损耗
更佳
C&K 推出业界首个 ESA 认证的 D-Sub Backshell 和 Haloring
航天
开关
连接器
认证
航天局
世界上
宽禁带生态系统：快速
开关
和颠覆性的仿真环境
模型
仿真
电容
器件
物理
半导体
SCHURTER MSM金属按键
开关
系列新成员——24mm安装孔径的MSM
开关
开关
系列
终端
孔径
按键
包括
Power Integrations推出高度集成的InnoSwitch3反激式
开关
IC，适合纯电动汽车和插电式混合动力汽车应用
范围内
输入
电压
可在
采用
次级
Razer发布Huntsman Mini 满足需要最少按键用户需求
按键
两种
配备
开关
线性
旅行者
英飞凌推出62mm CoolSiC™模块，为碳化硅开辟新应用领域
英飞凌
模块
栅极
设计
开关
封装
电源管理：不仅仅是设计一个电源
电源
转换器
开关
德州仪器
器件
降压
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