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湖南大学长沙半导体技术与应用创新研究院产业化基地揭牌
 评论 ⋅  2024-02-21 13:25
北京大学申请碳化硅平面栅MOSFET器件及其制备方法专利，能够降低器件的沟道电阻
 评论 ⋅  2024-02-06 14:15
中机新材董事长陈斌一行到访山东大学晶体材料国家重点实验室
 评论 ⋅  2024-01-31 16:35
厦门大学团队演示可同步辐射正交线偏振绿光的半极性InGaN基MCLED
 评论 ⋅  2024-01-24 17:32
江苏大学集成电路学院揭牌成立
 评论 ⋅  2024-01-18 15:47
山东大学碳化硅高温退火炉采购公开招标公告
 评论 ⋅  2024-01-17 10:10
北京大学申请高动态稳定性GaN器件专利，提高GaN HEMT的动态稳定性
 评论 ⋅  2024-01-17 10:07
电子科技大学氮化物宽禁带半导体晶体生长系统配件与制备耗材采购项目竞争性磋商采购公告
 评论 ⋅  2024-01-16 14:13
华南师范大学王幸福：GaN微纳结构及其光电子器件研究
GaN微纳米器件紫外探测器件
 评论 ⋅  2024-01-15 13:26
江南大学获批首个芯片关键技术千万级重点项目
 评论 ⋅  2024-01-11 15:30
香港中文大学（深圳）冀东：GaN同质外延中的雪崩特性
GaN同质外延雪崩击穿电离系数功率器件雪崩光电二极管
 评论 ⋅  2024-01-10 11:53
北京大学集成电路学院招聘专技2人，2.10截止
 评论 ⋅  2024-01-08 15:51
南京航空航天大学集成电路学院正式揭牌独立运行
 评论 ⋅  2024-01-02 11:23
中山大学物理学院氢化物气相外延沉积系统采购项目公开招标公告
 评论 ⋅  2023-12-29 16:53
北京大学教授于彤军：大尺寸AlN单晶生长研究
 评论 ⋅  2023-12-27 13:55
南京大学庄喆：基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件
 评论 ⋅  2023-12-27 13:50
厦门大学张峰：新型沟槽SiC基MOSFET器件研究
 评论 ⋅  2023-12-26 15:37
深圳大学刘新科：低成本垂直GaN功率器件
 评论 ⋅  2023-12-26 11:51
西安电子科技大学游淑珍：面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势
 评论 ⋅  2023-12-25 16:32
山东大学徐明升：SiC的高温氧化研究
 评论 ⋅  2023-12-25 11:18
大阪公立大学梁剑波：增强 GaN/3C-SiC/金刚石结构的散热性能，以适应实际器件应用
 评论 ⋅  2023-12-22 16:31
多伦多大学吴伟东：用于电动汽车的液冷GaN和SiC功率模块
 评论 ⋅  2023-12-22 11:30
IFWS 2023│西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体多芯片封装技术
 评论 ⋅  2023-12-19 11:35
北京大学申请GaN与碳纳米管CMOS电路专利
 评论 ⋅  2023-12-18 15:47
IFWS 2023│南砂晶圆/山东大学杨祥龙：大尺寸SiC单晶的研究进展
 评论 ⋅  2023-12-18 11:52
IFWS 2023│华南师范大学尹以安：具复合栅极和阶梯结构的新型GaN垂直晶体管研究
 评论 ⋅  2023-12-18 10:11
北京大学无锡EDA研究院，揭牌！
 评论 ⋅  2023-12-14 19:16
北京大学无锡EDA研究院在无锡高新区揭牌
 评论 ⋅  2023-12-14 16:14
IFWS 2023│日本大阪大学陈传彤：SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展
 评论 ⋅  2023-12-12 14:17
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
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