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CASICON晶体大会前瞻|上海交通大学王亚林：高压SiC功率模块封装、测试及应用研究
 评论 ⋅  2024-06-05 15:50
CASICON晶体大会前瞻 |山东大学孙丽：X射线形貌技术在半导体材料中的应用
 评论 ⋅  2024-06-04 14:09
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-06-03 16:44
CASICON晶体大会前瞻 |厦门大学黄凯：显示用Micro-LED技术新进展
 评论 ⋅  2024-05-31 16:39
CASICON晶体大会前瞻 |北京大学教授沈波：AlN单晶衬底和外延薄膜的制备
 评论 ⋅  2024-05-30 10:10
CASICON晶体大会前瞻 |西安交通大学李强：六方氮化硼薄膜制备及器件应用
 评论 ⋅  2024-05-29 14:57
南京大学—江苏富乐德石英“半导体洗净技术研究中心”签约揭牌仪式
 评论 ⋅  2024-05-29 14:51
青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约
 评论 ⋅  2024-05-29 14:49
CASICON晶体大会前瞻 |广东工业大学张紫辉：界面缺陷效应对 GaN功率电子器件的影响研究
 评论 ⋅  2024-05-29 11:12
CASICON晶体大会前瞻|深圳大学刘新科：低成本垂直氮化镓功率器件
 评论 ⋅  2024-05-29 11:02
北京大学郑州新材料高等研究院项目开工
 评论 ⋅  2024-05-21 09:12
西安邮电大学联合宇腾科技共建产学研合作基地
 评论 ⋅  2024-05-16 10:03
南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
 评论 ⋅  2024-05-07 14:10
北京大学申请多沟道GaN基HEMT专利，降低导通电阻进而降低损耗
 评论 ⋅  2024-04-30 16:27
武汉大学联合中国科学院微电子研究所与青禾晶元在表面活化键合4H-SiC的热物性表征与声子热输运研究领域取得新进展
 评论 ⋅  2024-04-30 13:55
南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
 评论 ⋅  2024-04-30 10:06
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学魏杰：高速低损耗SOI LIGBT新结构与机理研究
 评论 ⋅  2024-04-24 17:00
CSPSD 2024成都前瞻|温州大学韦文生:3C/4H-SiC异构结场效应器件的构建和模拟
 评论 ⋅  2024-04-23 15:39
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学徐跃杭:金刚石半导体器件可靠性新机制
 评论 ⋅  2024-04-23 10:12
CSPSD 2024成都前瞻|西安理工大学王曦：光控型SiC功率器件的理论与实验研究
 评论 ⋅  2024-04-23 10:02
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
 评论 ⋅  2024-04-22 11:54
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学刘人宽：基于多层级多场域的压接型IGBT模块失效演化机制研究
 评论 ⋅  2024-04-22 10:19
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学巫江：基于化合物半导体异质结的高性能器件设计与制备
 评论 ⋅  2024-04-22 10:14
CSPSD 2024成都前瞻|西安交通大学王来利：碳化硅功率半导体器件与变换器封装集成技术研究
 评论 ⋅  2024-04-22 10:07
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学李俊宏：基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究
 评论 ⋅  2024-04-19 15:26
CSPSD 2024成都前瞻|南方科技大学叶怀宇：碳化硅先进封装及全铜化技术
 评论 ⋅  2024-04-19 09:49
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学张金平：IGBT的技术演进与未来发展趋势
 评论 ⋅  2024-04-18 17:16
厦门大学团队在第四代半导体氧化镓材料外延和深紫外探测应用领域研究取得重要进展
 评论 ⋅  2024-04-18 16:08
CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君：SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
 评论 ⋅  2024-04-18 13:47
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