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徐明升:基于金刚石金属半导体场效应晶体管的日盲探测器
西安交通
大学
王艳丰:大面积单晶金刚石及场效应晶体管的研究
郑州
大学
刘玉怀:六方氮化硼薄膜在不同衬底上的生长研究综述
西安交通
大学
李强:hBN薄膜的制备与应用
南京
大学
况悦:κ-Ga2O3/In2O3 同型异质结构的能带排列和界面弯曲
郑州
大学
Mussaab I. Niass:蓝宝石衬底上BGaN基深紫外边发射激光二极管的仿真研究
美国康奈尔
大学
教授Huili Grace XING:对抗氮化镓和碳化硅的氧化镓功率器件Ga2O3
郑州
大学
Muhammad Nawaz Sharif:铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
哈尔滨工业
大学
赵丽丽:低成本碳化硅单晶材料产业化技术研究
复旦
大学
张园览:基于P区反序掺杂策略的高效碳化硅结势垒肖特基二极管的研究
复旦大学
张园览
高效
碳化硅
结势垒肖特基二极管
复旦
大学
特聘教授张清纯:SiC器件和模块的最新进展
复旦大学
教授
上海
碳化硅
功率器件
张清纯
SiC器件
模块
美国电力首席执行官Victor VELIADIS教授:碳化硅大规模商业化:现状与障碍
美国电力首席
北卡罗莱纳州立大学
教授
Victor
VELIADIS
碳化硅
西安电子科技
大学
张艺蒙教授:SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究
西安电子科技大学
微电子学院
教授
张艺蒙
SiC
功率
MOSFET器件
可靠性
大连理工
大学
王德君教授:SiC MOS器件氧化后退火新途径--低温再氧化退火技术
大连理工大学
王德君教授
SiC
MOS器件
氧化后
退火
低温再氧化
退火技术
美国俄亥俄州立
大学
Anant AGARWAL 教授:碳化硅芯片会在 2025-2030 年被电动汽车广泛采用的可能性探讨
美国俄亥俄州立大学
教授
Anant
AGARWAL
碳化硅芯片
电动汽
祝贺!清华
大学
电子工程系罗毅教授当选为中国工程院院士
华中科技
大学
捧回5项国家奖 高密度高可靠电子封装技术项目获一等奖
南方科技
大学
叶怀宇:碳化硅快充/逆变器的先进微纳金属烧结封装技术
深圳
大学
刘新科:基于氮化镓单晶衬底的半导体器件
山东
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徐现刚教授将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告
东北师范
大学
刘益春校长将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告
北京
大学
沈波教授将出席第四届全国宽禁带半导体学术会议并分享重要报告
【CASICON 2021】复旦
大学
樊嘉杰:SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计
【CASICON 2021】南京
大学
徐尉宗:面向高可靠性、高能效应用的GaN HEMT增强型器件技术
【CASICON 2021】西安交通
大学
李强:大面积hBN薄膜制备及 电阻开关特性研究
【CASICON 2021】南京邮电
大学
张珺:基于人工神经网络的AlGaN/GaN HEMT反向特性表征技术
【CASICON 2021】厦门
大学
梅洋:氮化镓基VCSEL技术进展
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工
大学
张宇昊:SiC MOSFET和GaN HEMT在过压开关中的鲁棒性
【CASICON 2021】美国弗吉尼亚理工
大学
张宇昊:氧化镓功率器件制备与封装技术
【CASICON 2021】北京
大学
杨学林:Si衬底上GaN基电子材料外延生长技术研究进展
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