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Wolfspeed WolfPACK采用行业标准无基板封装，通过SiC技术实现系统升级
 评论 ⋅  2021-03-02 13:38
东莞新政：建设国内富有竞争力的集成电路产业基地
 评论 ⋅  2021-03-02 11:49
格力公开“碳化硅肖特基半导体器件”和“一种半导体器件”专利
 评论 ⋅  2021-03-01 17:26
捷希5G通信测试设备总部及研发制造基地项目开工
 评论 ⋅  2021-03-01 16:55
工信部：保持完整产业链体系，聚焦核心基础零部件、关键基础元器件
 评论 ⋅  2021-03-01 16:42
电子元器件拉动计划筑强国家现代工业根基
 评论 ⋅  2021-02-03 11:31
【全文】工信部发布《基础电子元器件产业发展行动计划(2021—2023年)》，四大专栏行动巩固生产大国地位
 评论 ⋅  2021-01-29 13:38
祝贺！纳维科技总部大楼奠基，建成后年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片
纳维科技氮化镓单晶衬底外延片
 评论 ⋅  2021-01-26 17:24
SiC基GaN射频器件：国防航天航空之利器
 评论 ⋅  2021-01-21 17:02
青铜剑第三代半导体产业基地正式开工，预计2022年底完工
青铜剑第三代半导体产业基地
 评论 ⋅  2021-01-21 11:36
恭喜！恭喜！基本半导体、卓胜微电子等10家企业入选2020年“科创中国”新锐企业榜单
 评论 ⋅  2021-01-20 17:41
日本研发基于GaN的MEMS谐振器 可用于车载应用
 评论 ⋅  2021-01-20 16:10
惠科6英寸晶圆半导体项目正式量产 打造国内最大半导体功率器件生产基地
 评论 ⋅  2021-01-07 17:10
【政策解读】工信部：推动基础和关键领域创新突破 提高新能源汽车产业集中度
 评论 ⋅  2020-12-30 17:32
长飞资本认购私募基金份额 投资半导体产业
 评论 ⋅  2020-12-29 16:40
英诺赛科谢文元：八英寸硅基氮化镓产业化进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:26
电子科技大学教授周琦：基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
 评论 ⋅  2020-12-16 18:23
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇：硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
 评论 ⋅  2020-12-16 18:13
南方科技大学于洪宇：Si基GaN功率器件及其上电源系统的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-16 18:05
湖北大学何云斌:高性能基于氧化镓的日盲光电探测器的开发
 评论 ⋅  2020-12-14 17:23
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
中兴通讯蔡小龙：针对5G基站中射频氮化镓HEMT的失效分析研究
 评论 ⋅  2020-12-11 16:17
西安电子科技大学李杨：用于无线充电和功率传输的基于GaN肖特基势垒二极管的微波整流器
 评论 ⋅  2020-12-11 16:15
南方科技大学汪青：Si基GaN射频器件的关键技术研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:08
中电化合物半导体唐军：SiC基GaN射频材料热阻研究进展
 评论 ⋅  2020-12-11 16:01
复旦大学田朋飞：基于GaN的可用于固态照明、显示和双向可见光通信的多功能器件
 评论 ⋅  2020-12-09 18:28
厦门三安光电张中英:UVB & UVC AlGaN基深紫外LED器件的最新进展
 评论 ⋅  2020-12-08 16:09
英诺赛科陈钰林：硅基氮化镓产业化进展与市场前景
 评论 ⋅  2020-12-04 16:42
江苏博睿光电梁超：Y2O3-CaF2对LED用AlN封装基板性能的影响
 评论 ⋅  2020-12-03 18:11
天津工业大学于莉媛：GaN基器件电子辐照诱生缺陷表征和性能分析
 评论 ⋅  2020-12-03 18:02
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