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扬杰科技申请一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法专利,降低平面栅
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导电 MOSFET 导通电阻
盛合晶微半导体(江阴)申请 3D
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互连封装结构及其制备方法专利,实现高密度封装
8英寸碳化硅
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腔外延设备为什么这么热?
安森美将斥资20亿美元在捷克建设
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深圳大学刘新科:低成本
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剥离突破碳化硅SiC切割成本与效率,晶飞半导体获数千万元天使轮融资
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香港科技园公司与杰平方半导体签署合作备忘录 启动香港首间碳化硅SiC先进
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整合,以八英寸项目为核心向上下游拓展
歌尔股份:公司可提供VR/AR
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整合产品解决方案及相关研发制造服务
深圳大学微电子研究院刘新科:2寸独立晶圆上1.7 kV
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GaN-on-GaN肖特基势垒二极管
思达科技宣布全球首款量产型微间距大电流MEMS
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5G时代开启 小基站迎来大时代
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【5G新标准——解读R16,展望R17】新型
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