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国宇电子功率器件项目签约扬州
 评论 ⋅  2024-11-14 17:41
国家5G中高频器件创新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-13 15:47
湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC 器件专利，提升终端效率并提高工艺容错率
 评论 ⋅  2024-11-12 16:14
北京量子院徐洪起团队在半导体耦合多量子点器件研究中取得进展
 评论 ⋅  2024-11-12 16:08
广州南砂晶圆半导体技术取得交流电阻加热器及SiC单晶生长装置专利，提高晶体生长速度且有助于4H‑SiC晶型稳定
 评论 ⋅  2024-11-12 15:39
牛津仪器邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-11 17:55
氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
 评论 ⋅  2024-11-09 17:17
联合微电子中心取得一种半导体器件专利，提升半导体器件性能
 评论 ⋅  2024-11-09 11:58
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体器件及制备方法”专利公布
 评论 ⋅  2024-11-08 16:26
GaN+SiC！纳微全球首发8.5kW AI数据中心服务器电源
 评论 ⋅  2024-11-08 11:05
闻泰科技半导体业务与KOSTAL就先进车规级宽禁带器件达成战略合作
 评论 ⋅  2024-11-07 18:55
【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-11-07 10:01
睿励科学仪器完成近5亿元战略融资
 评论 ⋅  2024-11-06 14:00
【IFWS2024】化合物半导体激光器技术及应用分会日程公布
 评论 ⋅  2024-11-06 10:05
联讯仪器邀您同聚11月IFWS & SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-05 10:19
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC器件及其制备方法专利，可防止器件过早击穿烧毁
 评论 ⋅  2024-11-04 16:31
安徽长飞先进半导体申请半导体器件相关专利，使半导体器件获得更好的散热结构以及更低的电阻率
 评论 ⋅  2024-11-04 15:27
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
士兰微“MEMS器件及其制造方法”专利获授权
 评论 ⋅  2024-11-04 09:38
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率器件验证
 评论 ⋅  2024-10-30 20:06
纳芯微与大陆集团合作，联合开发汽车压力传感器芯片
 评论 ⋅  2024-10-30 11:25
光谷机器人生态创新中心启动，首批高校和企业入驻
 评论 ⋅  2024-10-30 10:28
IFWS2024：氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-10-30 09:55
合肥晶合集成电路申请一种半导体器件的制作方法专利，能够提高半导体器件的性能
 评论 ⋅  2024-10-29 18:00
无锡博通申请半桥GaN增强型开关器件及其制备方法专利，保证器件的高速开关
 评论 ⋅  2024-10-29 17:53
氮化镓射频电子器件与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
 评论 ⋅  2024-10-29 14:32
苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利，解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题
 评论 ⋅  2024-10-28 17:54
德州仪器扩大氮化镓半导体自有制造规模，产能提升至原来的四倍
 评论 ⋅  2024-10-28 17:37
一文解开远山氮化镓功率器件实现耐高压的秘密
 评论 ⋅  2024-10-28 10:25
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