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国宇电子功率
器件
项目签约扬州
国家5G中高频
器件
创新中心邀您同聚IFWS&SSLCHINA2024
湖南三安半导体申请功率
器件
专利,可提高钝化层在外围区域的附着力
昕感科技申请一种终端复合结构及高压 SIC
器件
专利,提升终端效率并提高工艺容错率
北京量子院徐洪起团队在半导体耦合多量子点
器件
研究中取得进展
氮化镓功率电子
器件
技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
联合微电子中心取得一种半导体
器件
专利,提升半导体
器件
性能
芯导电子“一种静电防护结构及制备方法、半导体
器件
及制备方法”专利公布
闻泰科技半导体业务与KOSTAL就先进车规级宽禁带
器件
达成战略合作
【IFWS2024】碳化硅功率
器件
及其封装技术分会日程出炉
南京南瑞半导体申请沟槽型SiC
器件
及其制备方法专利,可防止
器件
过早击穿烧毁
安徽长飞先进半导体申请半导体
器件
相关专利,使半导体
器件
获得更好的散热结构以及更低的电阻率
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利,提高
器件
性能和可靠性
士兰微“MEMS
器件
及其制造方法”专利获授权
富加镓业氧化镓外延片完成MOSFET横向功率
器件
验证
IFWS2024:氮化镓射频电子
器件
与应用分会日程出炉
合肥晶合集成电路申请一种半导体
器件
的制作方法专利,能够提高半导体
器件
的性能
无锡博通申请半桥GaN增强型开关
器件
及其制备方法专利,保证
器件
的高速开关
氮化镓射频电子
器件
与应用分会日程出炉 | IFWS2024 前瞻
一文解开远山氮化镓功率
器件
实现耐高压的秘密
富特科技:已实现SiC半导体
器件
在产品中的量产应用,且应用技术已相对成熟
华润微“一种LIGBT
器件
及其制备方法”专利公布
士兰集宏8英寸碳化硅功率
器件
芯片制造生产线项目预计2025年试生产
远山半导体发布新一代高压氮化镓功率
器件
中车中低压功率
器件
产业化(宜兴)建设项目竣工投产
米家智能小家电拆解汇总:小米的元
器件
供应商都有哪些?
格兰菲申请功率半导体
器件
结构及其制备方法专利,有利于终端区面积缩小
汉道精密制造年产1.8亿件半导体元
器件
项目开工奠基
忱芯科技申请碳化硅功率半导体
器件
的驱动板和测试方法专利
【南昌光电博览会】聚焦半导体光电装备、材料、
器件
及工艺发展
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