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IFWS&SSLCHINA2024|CASA9项 SiC MOSFET测试与可靠性标准发布
 评论 ⋅  2024-11-19 17:14
飞锃半导体申请半导体结构及其形成方法专利，提高器件性能和可靠性
 评论 ⋅  2024-11-04 15:24
芯导科技申请一种 T 型沟槽栅碳化硅 MOSFET 器件结构及其制备方法专利，提高了栅极可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 16:50
扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利，提高器件的高压 H3TRB 的可靠性
 评论 ⋅  2024-09-12 15:53
高可靠性高功率半导体器件IDM项目在宜兴签约 总投资约30亿元
 评论 ⋅  2024-07-18 09:40
紫光集电高可靠性芯片封装测试项目产线通线
 评论 ⋅  2024-06-13 10:07
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学徐跃杭:金刚石半导体器件可靠性新机制
 评论 ⋅  2024-04-23 10:12
CSPSD 2024成都前瞻|西安电子科技大学何艳静：SiC MOSFET浪涌可靠性的研究
 评论 ⋅  2024-04-22 11:54
CSPSD 2024成都前瞻|电子科技大学李俊宏：基于傅里叶乘法特性的高可靠性无半桥直流无刷电机驱动电路研究
 评论 ⋅  2024-04-19 15:26
CSPSD 2024成都前瞻|大连理工大学王德君：SiC半导体表界面缺陷及MOS器件可靠性
 评论 ⋅  2024-04-18 13:47
CSPSD 2024成都前瞻 |东南大学魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究
 评论 ⋅  2024-04-16 15:24
天狼芯半导体上海车规级可靠性实验中心正式启用
 评论 ⋅  2024-02-29 16:10
华为公司申请功率器件专利，提高半导体器件的可靠性
 评论 ⋅  2024-01-18 16:58
中国科学院在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展
 评论 ⋅  2023-12-12 15:36
IFWS 2023│大连理工大学王德君： 提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径
 评论 ⋅  2023-12-11 17:38
IFWS&SSLCHINA 2023│英诺赛科欧洲总经理Denis Macron:高性能GaN功率器件高可靠性和低成本
 评论 ⋅  2023-11-29 09:39
致能科技首发1200V 高可靠性氮化镓器件平台
 评论 ⋅  2023-11-10 19:43
国星光电SiC-MOSFET器件获得车规级认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核
 评论 ⋅  2023-10-24 10:30
长电科技高可靠性车载SiC功率器件封装解决方案
 评论 ⋅  2023-10-08 14:32
IQE和VisIC宣布合作开发车用高可靠性D模式GaN功率产品
 评论 ⋅  2023-09-21 15:17
纳芯微：光伏增长势头强劲，芯片灵活性及可靠性要求提升
 评论 ⋅  2023-08-25 11:57
华域麦格纳王飞：电驱动系统关键零部件可靠性全流程思考
 评论 ⋅  2023-07-07 10:48
五部门将推进车规级芯片等产品可靠性水平提升
 评论 ⋅  2023-07-07 10:21
工信部等五部门印发《制造业可靠性提升实施意见》
 评论 ⋅  2023-07-04 11:01
五部门发布《制造业可靠性提升实施意见》，机械、电子、汽车等行业
 评论 ⋅  2023-07-03 08:27
三安光电：公司碳化硅芯片应用于光伏、储能、新能源汽车等可靠性要求高的领域
 评论 ⋅  2023-06-14 11:06
晶合集成：汽车电子芯片研发取得进展 通过汽车12.8英寸显示屏总成可靠性测试
 评论 ⋅  2023-05-22 09:06
标准 | 《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》等5项团体标准形成征求意见稿
 评论 ⋅  2023-03-20 10:14
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-21 15:30
复旦大学牵头起草的《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》征求意见
 评论 ⋅  2022-11-11 15:20
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