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豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法专利，有效提高微纳结构中有源层的发光效率
 评论 ⋅  2024-08-13 16:14
清华大学研发光子芯片侧重自动驾驶等边缘智能应用
 评论 ⋅  2024-06-18 17:24
CASICON晶体大会前瞻 |江风益院士：V形PN结铟镓氮发光及应用
 评论 ⋅  2024-05-30 11:06
莱特光电申请含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置专利
 评论 ⋅  2024-05-10 10:00
CSPSD 2024成都前瞻|上海大学任开琳：一种新型氮化镓基发光高电子迁移率晶体管
 评论 ⋅  2024-04-23 09:53
国家重点研发计划“单片集成GaN基可调控Micro-LED发光器件研究”项目启动
 评论 ⋅  2024-04-18 17:29
北京大学申请长波长InGaN基发光二极管专利，有利于提高发光多量子阱中的铟并入
 评论 ⋅  2024-03-25 10:36
英特尔与日本NTT合作开发光电融合半导体
 评论 ⋅  2024-01-30 11:08
4000多次试错，终于探索出全球第三条蓝光LED技术路线
江西南昌硅衬底发光二极管蓝光
 评论 ⋅  2024-01-15 08:59
中国科学院半导体所伍绍腾：基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究
 评论 ⋅  2023-12-29 15:28
研究机构：2028年全球OLED发光材料市场将超24亿美元，中国占44%
 评论 ⋅  2023-12-05 14:08
西安交通大学李虞锋：SNOM对GaN基发光芯片的高空间分辨光学表征
 评论 ⋅  2023-08-02 09:51
CASICON 2023前瞻北京大学副教授许福军：AlGaN基深紫外发光材料和器件研究
 评论 ⋅  2023-07-13 11:11
美国Bolb公司董事长张剑平博士：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:48
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平：透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能
 评论 ⋅  2023-02-27 14:34
中科潞安牵头大功率深紫外AlGaN基LED发光材料与器件产业化关键技术获得立项
 评论 ⋅  2022-12-21 13:47
武大研究团队实现24.1%高效率钙钛矿近红外发光LED
 评论 ⋅  2022-12-13 14:04
《硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范》等四项硅衬底LED行业标准正式发布
 评论 ⋅  2022-10-25 16:54
中国科学院半导体所“深紫外激光光致发光光谱仪”入选中国科学院自主研制科学仪器名录
 评论 ⋅  2022-10-24 18:37
北京大学许福军：高质量AlN实现路径探索及深紫外发光器件应用
 评论 ⋅  2021-12-11 16:08
郑州大学Muhammad Nawaz Sharif：铟摩尔分数对InGaN基近紫外发光二极管光学性能的影响
 评论 ⋅  2021-12-10 15:35
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫：基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管
 评论 ⋅  2020-12-14 16:05
“芯基建”-19：发光硅：阿喀琉斯之踵 or 亚当之肋？
 评论 ⋅  2020-11-09 16:49
OLED/QLED/MicroLED：谁才是下一代显示技术？
三星发光技术电视显示像素
 评论 ⋅  2020-07-30 01:41
科学家研制出能够发光和自愈的新型可拉伸材料
拉伸研究弹性体表面活性剂发光材料
 评论 ⋅  2020-06-02 03:55
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