首页 > 新闻资讯 > 搜索
万国半导体申请用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二极管专利，保护功率晶体管免受高电压 ESD 事件影响
 评论 ⋅  2024-12-23 15:02
杭州芯迈半导体技术申请一种功率开关器件专利，提高了器件的功率密度
 评论 ⋅  2024-12-19 15:58
成都氮矽科技申请 N 面增强型 GaN 双向功率器件专利，提高器件的抗辐照能力
 评论 ⋅  2024-12-19 15:43
总投资3亿元，深矽微科技功率器件封装生产基地项目首批设备正式进场
 评论 ⋅  2024-12-19 11:56
日本政府为电装-富士电机联合的SiC功率半导体计划投资705亿日元
 评论 ⋅  2024-12-19 11:52
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（三） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-18 16:34
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-17 16:33
氮化镓功率电子器件技术进展探讨（一） |IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-16 17:13
吴伟东：SiC功率MOSFET老化检测智能栅极驱动器
 评论 ⋅  2024-12-16 10:45
嘉兴斯达拟投15亿元建设12英寸功率产线
 评论 ⋅  2024-12-12 13:49
嘉兴斯达拟投15亿元建设12英寸功率产线
 评论 ⋅  2024-12-11 16:30
瑞能北京 9.26亿元6英寸功率半导体扩建项目验收
 评论 ⋅  2024-12-10 16:49
碳化硅功率器件及其封装技术（二）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-10 15:02
碳化硅功率器件及其封装技术发展探讨（一）|IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-09 11:40
Victor Veliadis教授：加速碳化硅芯片和功率电子的商业化进程
 评论 ⋅  2024-12-06 15:09
中微公司陈丹莹：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生长的CVD设备 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-12-05 11:07
深圳平湖实验室丁祥金：建设面向全国的公共、开放、共享的平台，共创宽禁带功率半导体产业生态
 评论 ⋅  2024-11-29 14:13
平湖实验室何光泽：面向SiC/GaN功率器件失效分析的测试技术与典型应用| IFWS2024
 评论 ⋅  2024-11-29 13:52
博睿光电梁超：功率器件封装用高性能氮化铝陶瓷基板及金属化技术 | IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-28 14:02
2024宽禁带功率半导体技术路线图研讨会成功举行
 评论 ⋅  2024-11-27 15:13
观点集锦 | 功率模块与电源技术应用峰会专家齐聚探讨新进展——IFWS&SSLCHINA2024
 评论 ⋅  2024-11-26 15:16
定档！2024功率半导体制造及供应链高峰论坛将在重庆召开
 评论 ⋅  2024-11-25 10:42
国宇电子功率器件项目签约扬州
 评论 ⋅  2024-11-14 17:41
宝士曼功率半导体项目明年投产
 评论 ⋅  2024-11-14 17:38
湖南三安半导体申请功率器件专利，可提高钝化层在外围区域的附着力
 评论 ⋅  2024-11-12 16:26
氮化镓功率电子器件技术分会日程出炉|IFWS 2024前瞻
 评论 ⋅  2024-11-09 17:17
从安森美几款硬核功率产品，洞悉最新技术趋势
 评论 ⋅  2024-11-07 19:04
【IFWS2024】碳化硅功率器件及其封装技术分会日程出炉
 评论 ⋅  2024-11-07 10:01
功率模块与电源技术应用峰会日程出炉 | IFWS 2024
 评论 ⋅  2024-11-05 21:32
万泰智能功率模块封装项目，通线大吉
 评论 ⋅  2024-11-04 19:42
   首页   下一页   上一页   尾页 
联系客服 投诉反馈  顶部