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博蓝特聚焦第三代半导体材料领域
大唐移动发布《6G愿景与技术趋势白皮书》
长飞资本认购私募基金份额 投资半导体
产业
行业数据|中国大陆进口晶圆、硅材料数据统计(2020/11)
英伟达正规划5nm架构显卡:流处理器数量猛增71%
Silicon Catalyst:创新无国界 半导体新星无所不在
第三代半导体迎来应用大爆发!阿里达摩院发布2021十大科技趋势
博蓝特科创板IPO申请获上交所受理 将重点拓展碳化硅衬底
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产业链
2021年全球半导体行业销售额将增长8.4%,行业并购将继续
涨价!8寸晶圆代工产能紧缺!看全球前十大晶圆代工厂都是谁?
欧盟半导体
产业
建立“攻守联盟”
许继电气、平高电气或划归中国西电集团
日本丰田汽车公司Kimimori HAMADA:超窄体(UNB)MOSFET和接地窄而深p(GND)MOSFET的4H-SiC MOSFET的新挑战性结构
沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学Iman S. ROQAN:原位无位错多晶GaN层在宽范围衬底上生长高效率的无催化剂GaN纳米线
澳大利亚格里菲斯大学Jisheng HAN:4H-SiC MOS器件中活性缺陷的量化表征
日本名古屋大学宇治原徹:CFD模拟预测系统在SiC生长中的应用
IGBT龙头斯达半导拟投资2.29亿元布局碳化硅赛道
科技部部长王志刚:完善科技创新体制机制
中电科55所李士颜博士:碳化硅功率MOSFET研究进展
深圳第三代半导体研究院杨安丽:抑制4H-SiC功率器件双极型退化的“复合提高层”设计
华北电力大学李学宝:高压SiC器件中的封装绝缘问题研究
重庆大学曾正:碳化硅功率模块的先进封装测试技术
浙江大学任娜:SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性问题的研究
厦门大学邱宇峰教授:碳化硅功率半导体器件在电力系统中的应用
中山大学黎城朗:凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究
英诺赛科谢文元:八英寸硅基氮化镓
产业
化进展
电子科技大学教授周琦:基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的功率整流器与微波混频器
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩:宽禁带功率器件的宇航应用技术
北京大学尹瑞苑:氮化镓MIS结构界面相关陷阱态:物性、表征及模型
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇:硅基GaN增强型HEMT电力电子器件
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398
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463
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