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河北同光半导体取得超高真空碳化硅原料合成炉系统
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积塔半导体“基于TDDB优化的MOSFET器件及其制备方法”
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福建泓光半导体材料取得一种光刻胶自动过滤装置
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,提高工作效率
北方华创“碳化硅晶体生长装置”
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利普思半导体“一种功率模块结构”
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捷捷微电取得降低开关损耗的分离栅MOSFET器件及其制造方法
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,降低了开关损耗
豪纬集团申请一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法
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,有效提高微纳结构中有源层的发光效率
粤芯半导体“一种半导体器件中的互连金属的沉积方法”
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华羿微电“新型功率MOSFET器件及其制备方法”
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华羿微电“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”
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华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构
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,降低功率器件制造成本
芯联集成“沟槽型功率器件结构及其制造方法”
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华光光电申请一种大功率半导体激光器晶圆P面图形化电镀金的方法
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派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”
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芯聚能“功率模块外壳”
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忆芯科技“支持SR-IOV的NVMe控制器及方法”
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芯联集成“半导体器件的制备方法及半导体器件”
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中欣晶圆“12寸退火片的制造方法”
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扬杰科技申请降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法
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,降低 SiCMOSFET 栅极电容
英诺赛科“含有硅掺杂氮化铝层的半导体器件及其制造方法”
专利
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中芯集成-U 申请 MEMS 器件及其制备方法
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,避免大量自由电荷堆积在振膜中
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”
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英诺赛科在ITC初步裁决中成功驳回EPC 508
专利
的全部权利要求
清纯半导体“半导体功率器件及其制备方法”
专利
公布
芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制备方法”
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银河微电申请SiCMOSFET板级封装优化设计方法
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,设计效率高
晶盛机电取得晶圆形貌测量方法及设备
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三安半导体“氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件”
专利
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芯聚能 “功率模块的封装方法、装置和功率模块”
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