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山东大学与南砂晶圆团队在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得重大突破
 评论 ⋅  2023-08-30 19:13
电装SiC功率半导体的诞生之路和未来的可能性
 评论 ⋅  2022-03-01 11:53
第三代半导体材料: SiC的兴起与未来
SiC功率器件理想材料第三代半导体材料
 评论 ⋅  2021-07-19 16:41
功率器件需求暴增，SiC前景看好
 评论 ⋅  2020-07-02 11:28
成型体积密度对氮化硅结合碳化硅砖性能的影响
氮化硅SiC碳化硅砖
 评论 ⋅  2020-05-19 10:41
第三代宽禁带半导体材料SiC和GaN 的研究现状
第三代宽禁带半导体材料SiCGaN
 评论 ⋅  2020-05-19 10:37
专访UnitedSiC CEO：看见碳化硅的未来10年
UnitedSiCCEO碳化硅
 评论 ⋅  2019-12-19 10:40
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