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中国科大在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展
 评论 ⋅  2022-10-26 17:42
中国科大在二维铁电Rashba半导体材料中取得新进展
 评论 ⋅  2022-10-24 17:52
中国科学院物理研究所张广宇课题组实现4英寸晶圆尺度均匀多层二硫化钼连续薄膜可控逐层外延生长
 评论 ⋅  2022-06-23 15:13
中国科大​InGaAs单光子探测芯片设计制造领域重要进展
 评论 ⋅  2022-05-30 10:27
中国人大陈珊珊教授团队在宽带隙超薄二维氮化镓的可控制备方面获新进展
 评论 ⋅  2022-02-16 15:59
中国或从第三代半导体材料弯道超车
中国第三代半导体材料弯道超车
 评论 ⋅  2020-09-01 11:55
2019年中国氮化镓（GaN）供给与需求、电子电力器件及其他氮化镓应用情况[图]
2019年中国氮化镓GaN电子电力器件氮化镓应用
 评论 ⋅  2019-12-20 10:46
“中国功率器件领路人”陈星弼院士逝世，享年89岁
中国功率器件领路人陈星弼院士逝世
 评论 ⋅  2019-12-04 23:38
2019年中国科学院院士增选当选院士名单
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 评论 ⋅  2019-11-22 18:38
南昌大学江风益教授新当选中科院院士
南昌大学中国科学院院士硅基氮化镓
 评论 ⋅  2019-11-22 17:40
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