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半导体可控掺杂:浙大实现116万尼特超亮钙钛矿LED登《自然》
张荣院士团队在光学领域国际知名期刊发表封面文章
中国科大在仿生光电神经感知器件领域取得新突破
北京大学王新强教授团队:推动高功率UVC-LED晶圆进入低成本4英寸时代!
英飞凌率先开发全球首项300mm氮化镓功率半导体技术,推动行业变革
国产自主研发28nm显示芯片量产
香港理大成功研发16位量子比特半导体微型处理器
我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
厦门大学研究团队在金刚石热输运研究取得重要进展
《Applied Physics Letters》发表西电大马晓华教授研究组科研成果
国内高校实现Micro LED技术突破,涉及深紫外、光通讯
我国科学家实现材料突破,可用于开发低功耗芯片
北大电子学院张志勇课题组提出集成电路用碳纳米管材料要求
上海微系统所成功开发面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
IMEC使用ASML最新High-NA EUV取得芯片制造突破
晶钻科技同质外延单晶金刚石新突破
西电在逻辑运算器件领域取得重要突破
光谷光通信传输最新成果,又破世界纪录!
极紫外光刻新技术问世 能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本
基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用
深圳这家半导体工厂宣布停工停产放假3个月
中国科学院化学研究所张德清课题组在聚合物半导体图案化加工方面取得新进展
半导体所等在砷化镓(GaAs)中产生自旋极化研究方面取得进展
中国科学院半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展
北美科学家研发出一种新型超薄晶体薄膜半导体
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
中国科学院郑婉华院士团队半导体所有源光束扫描激光器研发取得进展
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展
北京大学在GaN功率器件可靠性与集成技术方面取得系列进展
江苏通用半导体成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片
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