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高压大功率芯片封装的散热研究与仿真分析
英特尔研究院最新研究在多波长集成光学领域取得新进展
我国研究者开发AlNO新型缓冲层,提升绿光LED效率方面获重大进展
突破!世界首个原子级量子集成电路推出
4H-SiC紫外光电探测器最新成果
技术分享 | GaN器件驱动及简化栅极驱动设计的方法
SiC 动态表征和测量方法简述
西安交大在氧化物薄膜外延领域取得重要进展
三星计划三年内打造 3 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺
广东省科学院半导体研究所新型显示团队在微器件巨量组装和集成领域重要研究进展
工作温度横跨400度!工研院VLSI发表世界顶尖“磁性存储器”技术
栅极驱动器以及 SiC MOSFET 栅极驱动分析
SiC MOS产品驱动设计之寄生导通问题分析与设计建议
厦门大学课题组在超高响应度日盲光电探测纸研究重要进展
华为公布量子芯片新专利,若实现商用或革新当下硅基芯片技术
多层MoS2外延晶圆推动二维半导体器件应用的研究进展
超结 IGBT 最新研究进展
厦大蔡端俊教授课题组在实验上第一次成功获得二维半导体h-BN的n型导电
中科院上海光机所在单频589nm光纤激光器研究方面取得进展
SiC MOSFET的Vgs门极电压的选取及其影响
先进碳化硅技术助力储能系统
清华大学团队研制出国际首款实时超光谱成像芯片
上海交大材料学院郭益平教授课题组在柔性压电传感器的研究中取得新进展
南科大邓巍巍课题组在打印制备剪纸有机光伏电池领域取得新成果
上海光机所在光寻址空间光调制器方面取得新进展
南京大学团队在宽禁带半导体EUV探测器领域取得新进展
研究实现44GHz超高频SAW谐振器 刷新目前工作频率纪录
北大张青课题组在硒化铟材料静水压荧光调控及近红外激光研究方面取得进展
Wolfspeed:先进碳化硅技术,助力简化半导体设备设计
清华大学陈谊课题组在钙钛矿太阳能电池领域取得重要进展
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