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中国科学院微电子所在厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成方面取得新进展
厦门大学于大全教授团队与华为团队合作 在先进封装金刚石散热技术领域取得突破
西交大科研人员在hBN真空紫外探测器领域取得重要进展
光谷实验室攻克量子点短波红外成像新技术
哈工大郑州研究院在CVD法制备纯净分散纳米金刚石技术领域取得重要进展
成果推荐| 基于凹槽二次外延技术的p-GaN栅极增强型电力电子器件
中科大孙海定教授Adv. Mater.: 构建双极型氮化镓PN结实现双通道加密光通信应用
丰田合成、大阪大学等 成功制备6吋GaN衬底
半导体所研制出室温连续功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器
福建物构所新型高效近红外量子点荧光粉及其micro-LED应用获进展
科学家研发出新型散热材料超薄金刚石膜 可将电动汽车充电速度提升五倍
日本初创公司开发功率半导体生产新材料 成本降低75%
山东大学郝晓涛团队在有机半导体光伏器件物理研究中取得新进展
复旦大学微电子学院三篇高水平成果亮相ISSCC 2024
西安交大毫米波频率源芯片研究成果在ISSCC2024发表
浙大科研团队新发现或突破电动汽车锂电池“快充和低温”瓶颈
重庆研究院发展出仿生“视听”光电探测器
复旦大学微电子学院器件工艺团队研发基于全无机钙钛矿的多功能集成光子器件
香港科技大学开发高效结合III-V与硅的新集成技术 有助革新数据通信
西电郝跃院士团队在超陡垂直晶体管器件研究方面取得重要进展
北大团队新型器件技术加速GaN进入工业与汽车应用
新进展│深圳大学刘新科课题组取得基于2D-on-GaN垂直异质集成的高性能宽光谱探测器研究新成果
宽禁带与二维材料,
能带工程,
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垂直异质集成
厦大物理宽禁带半导体团队在量子点电子态和自旋态操控领域取得重要进展
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
碳化硅单晶衬底的常用检测技术
联合攻关成果!1700V GaN HEMTs器件研制成功
厦大、华为合作,实现具有超低边界热阻的硅/多晶金刚石键合
量子半导体器件实现拓扑趋肤效应
器件新突破!香港科技大学教授陈敬团队成功研制一种融合氮化镓和碳化硅二者优点的实验晶体管!
唐为华教授团队通过热重排工程和能带调制实现可调谐的 Ga₂O₃ 日盲光敏性能
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