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突破！中国科大研究团队创造性开发出半导体材料激光直写方法
 评论 ⋅  2023-03-08 16:28
台湾中山大学突破6英寸碳化硅晶体生长！
 评论 ⋅  2023-03-08 10:00
半导体SERS基底非吸附分析物检测获进展
 评论 ⋅  2023-03-07 09:55
半导体所在激子-声子的量子干涉研究中获进展
 评论 ⋅  2023-03-07 09:54
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
从600块降到10块，中科院攻克重要芯片技术难关
 评论 ⋅  2023-03-03 10:44
简述碳化硅功率器件封装的三个关键技术
 评论 ⋅  2023-02-28 14:13
半导体产业快速发展带动下 PBN（热解氮化硼）市场需求空间广阔
 评论 ⋅  2023-02-28 14:01
中国科大龙世兵课题组研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
 评论 ⋅  2023-02-27 11:47
简述GaN功率器件应用可靠性增长研究
 评论 ⋅  2023-02-24 15:10
中科院研发铜掺杂p型半导体材料，可印制1-20nm厚的二维薄膜材料
 评论 ⋅  2023-02-24 10:52
南科大电子系化梦媛团队揭示与氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理及应用
 评论 ⋅  2023-02-22 15:14
北京大学在氧化物半导体器件方向取得系列重要进展
 评论 ⋅  2023-02-20 19:32
简述影响 MPCVD 法制备金刚石质量的因素研究
 评论 ⋅  2023-02-03 18:44
简述Ir衬底上金刚石半导体异质外延生长技术与机理研究进展
 评论 ⋅  2023-02-02 19:09
简述高压 SiC MOSFET 研究现状与展望
 评论 ⋅  2023-02-02 17:49
厦大研究团队利用蓝紫光LED泵浦实现双波长放大的聚合物光波导放大器
 评论 ⋅  2023-01-31 17:53
华中科技大学又一篇Science
 评论 ⋅  2023-01-29 09:33
东大团队研究成果荣膺2022年度“中国半导体十大研究进展”
 评论 ⋅  2023-01-16 15:14
简述氮化镓的合成制备及展望
 评论 ⋅  2023-01-12 16:05
2022年度中国半导体十大研究进展
 评论 ⋅  2023-01-12 11:49
简述氮化镓晶格排列氧化氮化镓纳米层的形成及其在电子器件中的应用
 评论 ⋅  2023-01-10 17:06
清华大学研究组在低维半金属半导体接触研究中取得进展
 评论 ⋅  2023-01-10 15:13
上海光机所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究进展
 评论 ⋅  2023-01-10 09:22
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
简述通过栅极驱动器提高开关电源功率密度
 评论 ⋅  2023-01-05 09:29
长春应化所在晶态有机发光二极管研究中取得重要进展
 评论 ⋅  2023-01-05 09:28
东南大学两项研究成果发表于电子器件领域顶会IEDM
 评论 ⋅  2023-01-04 09:40
厦大课题组在有机半导体空穴传输材料领域取得系列进展
 评论 ⋅  2023-01-04 09:37
山东省新一代半导体技术与系统等重点实验室批准建设
 评论 ⋅  2023-01-03 16:06
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