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石墨烯/GaN异质结中的双极性光响应及其在自由空间安全光通信中的应用研究
重大进展!中国团队成功实现12英寸二维半导体晶圆批量制备技术
研究称芯片中的硅或可被新材料取代
温州大学团队在集成电路和传感器顶级期刊发表研究成果
宁波材料所在热激子-深红光OLED材料领域取得重要进展
复旦大学微电子学院杨迎国等在钙钛矿半导体光电器件研究方面取得进展
芯片级光子学量子模拟系统开启量子计算新时代
国外研发半导体和超导体混合材料
全球首颗!中国团队推出AI全自动设计CPU!
中科院科学家在8英寸碳化硅单晶研制中获进展
厦门大学张洪良团队在氧化镓半导体带隙工程和日盲紫外光电探测器研究取得进展
简述先进封装Chiplet的优缺点
南京大学在GaN基Micro LED研究领域取得新进展
中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖
中山大学王钢教授团队在NiO/β-Ga₂O₃异质结在功率器件领域的研究进展
北大许福军、沈波团队在氮化物半导体大失配外延研究上取得突破性进展
中科院半导体所在硅基外延量子点激光器研究取得进展
国内8英寸SiC传来新进展!
半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展
北京大学许福军、沈波团队实现了接近体块级质量的III族氮化物异质外延膜
北京大学
III族氮化物
外延层薄膜
宽禁带半导体
Chiplet成半导体性能提升重要路径
中科院宣布,光计算芯片领域新突破!
【国际论文】具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
具有集成鳍型二极管的低反向导通损耗氧化镓纵向FinFET
世界最好水平!奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
简述GaN 外延生长方法及生长模式
国际团队开发出一种“3D光量子存储器”原创技术
中国科大在功率电子器件领域取得重要进展
基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管
上海光机所在特殊波长的飞秒超快光纤激光器研制方面获进展
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