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利用SiC模块进行电动压缩机设计要点
 评论 ⋅  2024-10-09 10:37
《Applied Physics Letters》发表西电大马晓华教授研究组科研成果
 评论 ⋅  2024-08-28 14:32
江苏通用半导体成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片
 评论 ⋅  2024-07-12 17:36
厦门大学康俊勇教授团队：人工智能无损表征技术，助力SiC晶体生长
 评论 ⋅  2024-03-29 10:53
昆明理工大学在溶液法生长高纯3C-SiC晶体研究方面取得进展
 评论 ⋅  2024-01-26 17:37
山东大学彭燕、徐现刚团队在面向大功率高效散热GaN器件用金刚石-碳化硅复合衬底的进展
金刚石SiCGaN衬底
 评论 ⋅  2024-01-04 09:28
4H-SiC 中基面位错滑移带表征和外延传播
4HSiC晶体缺陷晶体生长
 评论 ⋅  2024-01-02 15:38
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀
 评论 ⋅  2023-10-19 10:39
工艺打通！九峰山实验室全面启动碳化硅（SiC）工艺技术服务
 评论 ⋅  2023-08-10 10:23
国内8英寸SiC传来新进展！
 评论 ⋅  2023-06-26 11:52
CASA发布《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》
 评论 ⋅  2023-05-26 13:44
第三代半导体SiC芯片关键装备现状及发展趋势
 评论 ⋅  2023-03-28 18:11
简述SiC碳化硅单晶的生长原理
 评论 ⋅  2023-03-03 10:48
简述高压 SiC MOSFET 研究现状与展望
 评论 ⋅  2023-02-02 17:49
简述选择GaN或SiC器件的重点
 评论 ⋅  2023-01-09 17:08
重要发现！3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
 评论 ⋅  2022-12-14 20:16
SiC工艺之质子注入缺陷抑制技术解决碳化硅层错难题
 评论 ⋅  2022-12-12 15:24
SiC MOSFET功率模块的各种参数电动汽车
 评论 ⋅  2022-12-05 15:58
简述SiC MOSFET短路保护时间
 评论 ⋅  2022-11-28 14:29
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用
 评论 ⋅  2022-11-23 15:18
基于SiC的电动汽车用纯电驱动单元研究
 评论 ⋅  2022-11-15 10:29
简述SiC功率器件的新发展和挑战
 评论 ⋅  2022-11-04 16:51
沟槽型SiC MOSFET 工艺流程及SiC离子注入
 评论 ⋅  2022-10-25 16:44
SiC MOSFET特性分析及应用
 评论 ⋅  2022-10-12 17:55
国际首台基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模块的35kV/5MW电力电子变压器顺利通过全部型式试验
 评论 ⋅  2022-10-11 17:39
山东大学与南砂晶圆团队实现了高质量8英寸导电型4H-SiC单晶和衬底制备
山东大学晶体材料4HSiC衬底8英寸
 评论 ⋅  2022-09-21 08:45
一种基于基板埋入技术的新型SiC功率模块封装及可靠性优化设计方法
 评论 ⋅  2022-09-02 09:52
一种基于基板埋入技术的SiC功率模块封装及可靠性优化设计
 评论 ⋅  2022-08-26 14:20
Wolfspeed：SiC 功率模块最大限度提高有源前端效率
 评论 ⋅  2022-07-11 13:49
4H-SiC紫外光电探测器最新成果
 评论 ⋅  2022-06-24 14:42
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