首页 > 新闻资讯 > 搜索
我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术
 评论 ⋅  2024-09-03 16:46
日本团队：金刚石MOSFET研制取得最新进展
钻石MOSFET
 评论 ⋅  2023-12-29 16:52
CASA发布《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》
 评论 ⋅  2023-05-26 13:44
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET 技术及应用通过技术鉴定
 评论 ⋅  2023-05-23 17:44
简述MOSFET与IGBT的区别
 评论 ⋅  2023-04-04 11:50
简述高压 SiC MOSFET 研究现状与展望
 评论 ⋅  2023-02-02 17:49
俄亥俄州立大学的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力
 评论 ⋅  2023-01-03 15:21
SiC MOSFET功率模块的各种参数电动汽车
 评论 ⋅  2022-12-05 15:58
简述SiC MOSFET短路保护时间
 评论 ⋅  2022-11-28 14:29
简述功率MOSFET电流额定值和热设计
 评论 ⋅  2022-11-22 17:40
MOSFET的失效机理：dV/dt失效和雪崩失效
 评论 ⋅  2022-11-15 14:21
沟槽型SiC MOSFET 工艺流程及SiC离子注入
 评论 ⋅  2022-10-25 16:44
SiC MOSFET特性分析及应用
 评论 ⋅  2022-10-12 17:55
国际首台基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模块的35kV/5MW电力电子变压器顺利通过全部型式试验
 评论 ⋅  2022-10-11 17:39
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
 评论 ⋅  2022-10-09 11:44
湖南三安发布最新1200V碳化硅MOSFET系列，包含1200V 80mΩ/20mΩ/16mΩ
 评论 ⋅  2022-09-05 18:43
自研基于 6 寸碳化硅晶圆的 6.5kV MOSFET功率模块测试分析
 评论 ⋅  2022-09-01 16:59
栅极驱动器以及 SiC MOSFET 栅极驱动分析
 评论 ⋅  2022-06-16 12:05
SiC MOSFET的Vgs门极电压的选取及其影响
 评论 ⋅  2022-06-06 15:16
第四代SiC MOSFET 突破电力电子领域边界
 评论 ⋅  2022-05-12 15:46
SiC MOSFET单管的并联均流特性及1 200V 产品参数分散性对并联均流的影响
 评论 ⋅  2022-05-10 14:24
金刚石MOSFET器件最新成果！在(111)金刚石衬底上成功制备高性能C-Si MOSFET器件
 评论 ⋅  2022-04-25 10:43
Wolfspeed：新型SBD和MOSFET封装大幅缩减尺寸，提高功率密度
 评论 ⋅  2022-04-19 09:29
SiC MOSFET 高温栅氧可靠性研究
 评论 ⋅  2022-04-08 15:24
《SiC MOSFET可靠性分析》联盟技术报告正式立项
 评论 ⋅  2022-03-24 15:51
SiC MOSFET替代Si MOSFET，自举电路是否适用？
 评论 ⋅  2022-01-14 16:07
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET
 评论 ⋅  2021-09-15 15:58
如何减少SiC MOSFET的EMI和开关损耗
 评论 ⋅  2021-02-02 14:15
科锐推出新型650V MOSFET，提供业界领先效率，助力新一代电动汽车、数据中心、太阳能应用创新
科锐650VMOSFET效率新一代电动汽车数据中心太阳能应用创新
 评论 ⋅  2020-04-02 10:16
联系客服 投诉反馈  顶部