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许福军、沈波团队成功实现垂直注入Al
GaN基
深紫外发光器件的晶圆级制备
北京大学取得Al
GaN基
深紫外发光二极管器件结构及其制备方法专利,显著提升器件的光输出功率
半导体所研制出室温连续功率4.6W的
GaN基
大功率紫外激光器
科研新进展 | 厦门大学张保平教授课题组发表绿光
GaN基
VCSEL重要成果
南京大学在
GaN基
Micro LED研究领域取得新进展
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底
GaN基
纵向功率器件
河工大张紫辉团队在
GaN基
Micro-LED方面获得新进展
在纳米图案化蓝宝石衬底(NPSS)上实现Al
GaN基
高效多量子阱的生长
GaN基
紫外半导体激光器
中科院半导体所赵德刚团队研制出室温连续功率2W的
GaN基
大功率紫外激光器
北京大学教授沈波:Al
GaN基
深紫外发光材料和器件技术进展
【极智课堂】汪炼成:先进
GaN基
LED器件研究-从半导体照明到Micro-LED显示和可见光通信
中南大学
微电子科学
汪炼成
GaN
Micro-LED显示
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